已閱讀1頁，還剩30頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、對有限寬勢壘AlxGa1-xAs/GaAs量子阱系統(tǒng)，引入三角勢近似勢阱能帶彎曲，利用變分法討論施主雜質(zhì)態(tài)結(jié)合能.給出結(jié)合能隨阱寬、雜質(zhì)位置和鋁組份的變化關(guān)系，并與方阱情形對比.結(jié)果顯示：三角勢近似下結(jié)合能明顯小于方阱情形，且兩者的差別隨阱寬和鋁組份(勢壘高度)而增加，隨勢壘厚度增加而減少，但阱內(nèi)雜質(zhì)位置的變化對其影響不甚敏感，進(jìn)而，考慮電子有效質(zhì)量、材料介電常數(shù)及禁帶寬度隨流體靜壓力的變化，所得結(jié)果顯示，結(jié)合能之差在壓力作用下明顯增大
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 壓力下有限寬勢壘alxga1xasgaas三角勢量子阱中施主結(jié)合能及其lo聲子效應(yīng)
- GaAs-AlxGa1-xAs三量子阱中勢壘厚度對激子結(jié)合能的影響及其壓力效應(yīng).pdf
- 有限厚勢壘量子阱中雜質(zhì)態(tài)的結(jié)合能力及其壓力效應(yīng).pdf
- 35142.勢壘對gaasalxgan1xas量子阱中雜質(zhì)態(tài)結(jié)合能的作用主磁場影響
- 變組分AlxGa1-xAs-GaAs光電發(fā)射材料研究.pdf
- GaAs基雙勢壘超晶格量子阱RTD器件研究.pdf
- 有限厚勢壘應(yīng)變GaN-AlxGa1-xN異質(zhì)結(jié)中雜質(zhì)態(tài)及壓力效應(yīng).pdf
- 壓力下屏蔽及極化子效應(yīng)對有限深量子阱中施主結(jié)合能的影響.pdf
- GaN系雙勢壘量子阱RTD器件的研究.pdf
- 雙勢壘拋物量子阱阱寬對電子磁隧穿的影響.pdf
- 33671.外場下壓力及屏蔽對量子阱中施主結(jié)合能的影響
- 聲子參與的雙勢壘隧穿的研究.pdf
- 單勢壘量子阱電容電抗器的力學(xué)特性分析.pdf
- InGaN-GaN多量子阱勢壘層摻In工藝及其應(yīng)用研究.pdf
- Cd1-xMnxTe-CdTe量子阱中電子-LO聲子散射率的研究.pdf
- Tomonaga-Luttinger量子線中雙勢壘隧穿的干涉效應(yīng).pdf
- GaAs-AlGaAs量子阱中電磁誘導(dǎo)透明效應(yīng)及其應(yīng)用.pdf
- GaAs-AlxGa1-xAs超晶格薄膜界面間擴(kuò)散的研究.pdf
- δ勢壘貫穿問題研究
- Cd1-xMnxTe-CdTe量子阱中激子結(jié)合能的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論