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文檔簡介
1、本文考慮壓力及準(zhǔn)二維電子氣對雜質(zhì)庫侖勢屏蔽的影響,計及各向同性電子有效質(zhì)量,材料介電常數(shù)及禁帶寬度隨流體靜壓力的變化,利用變分法討論有限深量子阱中的施主雜質(zhì)態(tài)能級。 對GaAs/A1<,x>Ga<,1-x>As量子阱中的雜質(zhì)態(tài)結(jié)合能進(jìn)行了數(shù)值計算,給出結(jié)合能隨鋁組份,阱寬和壓力的變化關(guān)系,并討論了有無屏蔽時的區(qū)別.結(jié)果顯示,屏蔽效應(yīng)隨壓力而增加,且顯著降低雜質(zhì)態(tài)的結(jié)合能。 計算結(jié)果表明,雜質(zhì)態(tài)結(jié)合能隨壓力明顯增大.一方面
2、,屏蔽使結(jié)合能明顯下降,另一方面,屏蔽使結(jié)合能對壓力的敏感程度降低.結(jié)合能在有、無屏蔽時均隨阱寬的增加先增后減,在中間阱寬時出現(xiàn)極值,屏蔽使極值峰更為尖銳,在寬阱和窄阱時,屏蔽的影響更加明顯。 在鋁組份取0≤x≤0.4的范圍內(nèi),結(jié)合能隨鋁組份單調(diào)非線性增加,屏蔽效應(yīng)使結(jié)合能降低,其變化趨勢大致與無屏蔽時一致。 進(jìn)而,考慮壓力及屏蔽效應(yīng),同時計入量子阱結(jié)構(gòu)中三類光學(xué)聲子模(局域類體光學(xué)聲子、半空間類體光學(xué)聲子和界面光學(xué)聲子
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