帶電荷激子在雙層量子點中的性質(zhì).pdf

1、激子束縛第二個空穴(帶正電荷激子)以及激子束縛于帶正電荷施主雜質(zhì)，都是激子概念的延續(xù)。這兩種特殊的束縛態(tài)來源于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料制備技術(shù)的不斷進(jìn)步，已經(jīng)被物理學(xué)家所發(fā)現(xiàn)。由于植根于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料，使得它們具有特殊的研究和應(yīng)用價值。 本論文敘述了典型的少體物理方法一諧振子乘積基展開法的具體運用，并引入Talmi-moshinsky變換系數(shù)，為解決二維拋物量子點中的三體相互作用帶來方便。在此基礎(chǔ)上，研究了雙層拋物勢量子點中帶正電

2、荷激子的關(guān)聯(lián)能與量子點的束縛勢大小的變化關(guān)系，以及量子點束縛勢、量子點間距、空穴有效質(zhì)量與束縛能的關(guān)系。我們的結(jié)果表明量子點間距為0.16nm和0.32nm，束縛勢hw<,0>大小為1.85meV時，空穴有效質(zhì)量越大，帶正電荷激子的基態(tài)束縛能越小，甚至減為負(fù)值。同時計算出帶正電荷激子在單個量子點中的基態(tài)束縛能屬于一般的帶正電荷激子的實驗結(jié)果的范圍內(nèi)。 采用同樣的方法研究了磁場下帶正電荷施主雜質(zhì)量子點中激子的束縛能與量子點束縛勢、