基于MoS2-InN異質(zhì)結(jié)納米材料的制備及H2檢測(cè)性能研究.pdf

1、二維過(guò)渡金屬硫化物納米材料和Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體納米材料具有獨(dú)特的物理特性及優(yōu)異的電學(xué)性能，因而引起世界各國(guó)專家學(xué)者的廣泛關(guān)注。本論文分別從MoS2和InN納米材料的生長(zhǎng)制備與測(cè)試表征、MoS2納米材料光催化降解性能和由MoS2/InN異質(zhì)結(jié)納米材料所構(gòu)成的檢測(cè)裝置對(duì)H2氣體性能檢測(cè)三方面進(jìn)行相應(yīng)的研究，包括：
　?。?）歸納和總結(jié)了InN納米材料和MoS2納米材料的晶體結(jié)構(gòu)、物理基本特性和常見的一些制備方法，以及在微納半導(dǎo)體器件和基于

2、異質(zhì)結(jié)器件的氣體檢測(cè)研究領(lǐng)域的應(yīng)用情況。
　?。?）在覆蓋有60nm膠體金的Si基底上利用化學(xué)氣相沉積法（CVD）制備得到納米線、納米截角三角金字塔和納米葉三種不同形貌的InN納米材料。對(duì)三種材料的生長(zhǎng)機(jī)理和發(fā)光特性進(jìn)行詳細(xì)的研究，其中InN納米截角三角金字塔結(jié)構(gòu)具有最強(qiáng)發(fā)光特性，預(yù)示著其可能在光學(xué)領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。
　　（3）利用化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)MoS2納米材料，得到三角、四角、六角三種MoS2納米片層結(jié)構(gòu)材料。經(jīng)

3、拉曼光譜研究初步確定三種不同結(jié)構(gòu)的MoS2納米片的層數(shù)，以及基于MoS2材料本身的光催化特性，研究了其對(duì)甲基橙溶液的光催化降解作用，結(jié)果表明MoS2片層納米材料具有良好的光催化降解特性。
　　（4）利用兩步CVD法在SiO2/Si襯底上制備得到異質(zhì)結(jié)MoS2/InN納米材料，主要包含InN納米線和四角MoS2納米片。制備了基于異質(zhì)結(jié)MoS2/InN納米材料器件并研究其對(duì)H2氣體的測(cè)試性能，結(jié)果表明，基于MoS2/InN氣體檢測(cè)裝置