基于MoS2-InN異質(zhì)結(jié)納米材料的制備及H2檢測性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、二維過渡金屬硫化物納米材料和Ⅲ-Ⅴ族半導體納米材料具有獨特的物理特性及優(yōu)異的電學性能,因而引起世界各國專家學者的廣泛關(guān)注。本論文分別從MoS2和InN納米材料的生長制備與測試表征、MoS2納米材料光催化降解性能和由MoS2/InN異質(zhì)結(jié)納米材料所構(gòu)成的檢測裝置對H2氣體性能檢測三方面進行相應的研究,包括:
 ?。?)歸納和總結(jié)了InN納米材料和MoS2納米材料的晶體結(jié)構(gòu)、物理基本特性和常見的一些制備方法,以及在微納半導體器件和基于

2、異質(zhì)結(jié)器件的氣體檢測研究領域的應用情況。
  (2)在覆蓋有60nm膠體金的Si基底上利用化學氣相沉積法(CVD)制備得到納米線、納米截角三角金字塔和納米葉三種不同形貌的InN納米材料。對三種材料的生長機理和發(fā)光特性進行詳細的研究,其中InN納米截角三角金字塔結(jié)構(gòu)具有最強發(fā)光特性,預示著其可能在光學領域具有很好的應用前景。
 ?。?)利用化學氣相沉積法生長MoS2納米材料,得到三角、四角、六角三種MoS2納米片層結(jié)構(gòu)材料。經(jīng)

3、拉曼光譜研究初步確定三種不同結(jié)構(gòu)的MoS2納米片的層數(shù),以及基于MoS2材料本身的光催化特性,研究了其對甲基橙溶液的光催化降解作用,結(jié)果表明MoS2片層納米材料具有良好的光催化降解特性。
  (4)利用兩步CVD法在SiO2/Si襯底上制備得到異質(zhì)結(jié)MoS2/InN納米材料,主要包含InN納米線和四角MoS2納米片。制備了基于異質(zhì)結(jié)MoS2/InN納米材料器件并研究其對H2氣體的測試性能,結(jié)果表明,基于MoS2/InN氣體檢測裝置

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