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文檔簡介
1、本文采用基于密度泛函理論的第一性原理方法,以一種層狀過渡金屬硫族化合物(TMDs)WTe2為研究對象,對其電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)進(jìn)行了理論計(jì)算。然后,對WTe2進(jìn)行n型和p型摻雜,計(jì)算研究摻雜后其電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)的變化。接著,我們研究了單個貴金屬Pt原子在WTe2單層表面上的吸附和擴(kuò)散現(xiàn)象,以及n型和p型摻雜對擴(kuò)散勢壘的影響。另外,我們研究了貴金屬Au原子在WTe2單層表面上的吸附和生長規(guī)律及吸附氧分子之后的變化問題。主要研究內(nèi)容和結(jié)論如下:
2、 ?。?)盡管WTe2已被研究數(shù)十年,但是它的晶體結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)近期才被準(zhǔn)確地解釋和描述。WTe2有三種類型,我們這里研究的是具有最穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的一種,即Td-WTe2。Td-WTe2是由三層共價鍵結(jié)合的Te-W-Te原子層沿著c軸方向通過范德瓦爾斯力作用堆垛而成,其電子結(jié)構(gòu)具有很強(qiáng)的各向異性。因此,基于密度泛函理論的第一性原理方法,在這里我們研究了單個貴金屬Pt原子在純WTe2單層及n型和p型摻雜的WTe2單層表面上的擴(kuò)散動力學(xué)性質(zhì),擴(kuò)散
3、包括三類,即無摻雜擴(kuò)散、Ta(p型)摻雜后的擴(kuò)散及Re(n型)摻雜后的擴(kuò)散。通過采用CI-NEB方法計(jì)算最小能擴(kuò)散路徑,我們發(fā)現(xiàn)單個Pt原子在單層WTe2表面上的擴(kuò)散具有很強(qiáng)的各向異性。Pt原子在沿W-W鋸齒鏈方向上的擴(kuò)散勢壘最低,因此Pt原子更傾向于沿此方向擴(kuò)散,其中在無摻雜時此方向的擴(kuò)散勢壘為0.551eV,摻雜Ta后擴(kuò)散勢壘為0.463eV,摻雜Re后擴(kuò)散勢壘為0.508eV。我們的研究結(jié)果表明,n型和p型摻雜都會對Pt原子在WT
4、e2襯底上最佳擴(kuò)散路徑即沿W-W鋸齒鏈方向的擴(kuò)散勢壘產(chǎn)生影響。這些發(fā)現(xiàn)對制造和調(diào)控過渡金屬納米材料在納米催化劑、納米傳感器及相關(guān)領(lǐng)域中達(dá)到預(yù)期的應(yīng)用效果具有很大的價值和指導(dǎo)意義。
?。?)針對Td-WTe2電子結(jié)構(gòu)很強(qiáng)的各向異性,我們還研究了貴金屬Au原子在其單層表面上的吸附與生長規(guī)律,并研究了在生長Au原子鏈后的WTe2單層表面吸附氧分子后的變化。通過計(jì)算模擬,我們找到了單個Au原子在WTe2單層表面的最穩(wěn)定吸附位置是沿著較低
5、的Te原子鏈方向。接著,我們開始在WTe2單層表面吸附生長Au原子。通過在各種位置吸附生長的嘗試,我們發(fā)現(xiàn)Au原子在WTe2表面的生長總是沿著較低的Te原子鏈方向,并且總是長成很新奇的雙層Au原子鏈結(jié)構(gòu)。通過計(jì)算比較Au原子分散吸附和以鏈狀形式吸附在WTe2表面,我們發(fā)現(xiàn)Au原子長成鏈狀吸附在WTe2表面時的結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。然后,我們分別在Au原子分散吸附和以鏈狀形式吸附的WTe2表面吸附氧分子,并比較兩種結(jié)構(gòu)吸附氧分子后的變化,計(jì)算結(jié)果表
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