濕法工藝中缺陷問(wèn)題的研究.pdf

1、在半導(dǎo)體制造流程中，濕法清洗是作為承擔(dān)污染物清洗并確保產(chǎn)品良率穩(wěn)定極其重要的工藝站點(diǎn)，研究濕法工藝中所遇到的缺陷問(wèn)題是非常有意義的課題。本文將主要介紹濕法清洗的概念與原理，總結(jié)歸納濕法工藝中常見(jiàn)的缺陷類型與產(chǎn)生機(jī)理，并重點(diǎn)以光刻膠殘留，柵氧成膜厚度異常與 Scrubber V型缺陷三種疑難缺陷為實(shí)例進(jìn)行深入分析與研究。
　　對(duì)于鈷硅化物預(yù)清洗站點(diǎn)的光刻膠殘留缺陷，通過(guò)分析該缺陷的分布圖形與類型，結(jié)合該工藝程式與硅片浸潤(rùn)性等理論依據(jù)

2、并通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了缺陷來(lái)源為HF藥液槽，最后通過(guò)增加SC1清洗解決了光刻膠殘留問(wèn)題，將產(chǎn)品良率提高了1%左右。
　　對(duì)于柵氧成膜厚度異常，通過(guò)結(jié)合膜厚異常區(qū)域與進(jìn)入機(jī)臺(tái)相對(duì)應(yīng)位置關(guān)系，并分析機(jī)械臂的作業(yè)模式局限性與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證確定了缺陷成因?yàn)楣杵粰C(jī)械臂搬送震動(dòng)時(shí)掉落的含硫結(jié)晶物污染，最后通過(guò)改善機(jī)臺(tái)硬件參數(shù)與將硫酸槽浸泡時(shí)間延長(zhǎng)到180秒來(lái)解決成膜異常。
　　對(duì)于Scrubber V型缺陷，通過(guò)分析機(jī)臺(tái)結(jié)構(gòu)原理與各種清洗功能的特