鋁摻雜氧化鋅透明電極在量子點(diǎn)發(fā)光二極管中的應(yīng)用.pdf

1、量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum-dot Light-emitting Diodes, QLED)，具有光譜覆蓋范圍寬、色純度高、能耗低等優(yōu)勢(shì)，在智能手機(jī)、大尺寸超清顯示屏和高端照明等領(lǐng)域有著廣闊應(yīng)用前景，尤其在寬色域發(fā)光器件方面表現(xiàn)出色，可望成為下一代主流發(fā)光顯示技術(shù)。但目前，對(duì)于QLED的研究大部分還處于實(shí)驗(yàn)室階段，為了實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)，還有很多問(wèn)題需要解決。其器件效率低的主要原因是載流子注入不平衡，一般最常見(jiàn)的問(wèn)題是空穴的注入和傳輸

2、效率較差。目前，研究最多的QLED為半透明器件，且最常用的陽(yáng)極材料是錫摻雜氧化銦(ITO)，最常用的陰極材料是鋁(Al)和銀(Ag)等。近年來(lái)人們對(duì)透明電極的研究非常廣泛，其中最為常見(jiàn)的透明導(dǎo)電極有石墨烯(Graphene)、鋁摻雜氧化鋅(AZO)、氟摻雜氧化錫(FTO)等。作為透明電極不僅需要具有較高的透過(guò)性還要有較高的導(dǎo)電性。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴不同濺射功率條件下制備的AZO薄膜呈六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)，晶粒沿(002)方向擇

3、優(yōu)生長(zhǎng)，且制備出高透過(guò)率和高導(dǎo)電性的薄膜。AZO薄膜的透過(guò)率在532 nm處介于74.89％和88.41%之間；方阻隨著濺射功率（從80 W到200 W）的增大而減小，可以控制在174.70Ω/□-2.95Ω/□的范圍內(nèi)，且AZO薄膜的功函接近5.00eV。⑵將不同濺射功率的AZO透明導(dǎo)電薄膜作為陽(yáng)極用于 QLED器件，并構(gòu)筑了綠光QLED器件。研究結(jié)果可知，AZO薄膜濺射功率為125 W時(shí)，綠光QLED器件性能最佳。當(dāng)AZO濺射功率大

4、于100 W時(shí)，其器件的空穴注入能力高于以ITO為陽(yáng)極的器件的空穴注入能力，且AZO功率為125 W和150 W條件下器件的電子空穴注入更加平衡。隨后我們又對(duì)濺射功率為125 W的AZO薄膜作為陽(yáng)極的QLED器件的各層條件進(jìn)行優(yōu)化。優(yōu)化后的綠光QLED器件的最大亮度達(dá)87180cd/m2，最大電流效率達(dá)34.90 cd/A，并且優(yōu)化器件的最大外量子效率(EQEmax)達(dá)8.71%。⑶用磁控濺射法制備AZO透明導(dǎo)電薄膜替代QLED器件中不

5、透明電極的陰極材料（Al或Ag等），并構(gòu)筑全透明綠光QLED器件。并探究了不同濺射功率AZO透明導(dǎo)電薄膜對(duì)全透明綠光QLED器件性能的影響，結(jié)果可知AZO薄膜濺射功率為100 W時(shí)器件性能最佳，其綠光全透明QLED器件在532 nm處的透過(guò)率為83.83%。全透明器件頂端發(fā)光最高亮度達(dá)19200cd/m2，最高電流效率為8.82cd/A；器件底端發(fā)光最高亮度達(dá)21000cd/m2，最高電流效率為8.00cd/A；且全透明器件的亮度達(dá)40