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文檔簡介
1、1877年,John Kerr研究放置在磁場中的物質(zhì)與線偏振光相互作用時(shí),觀察到反射光偏振態(tài)變化,這個(gè)現(xiàn)象被稱為磁光克爾效應(yīng)(MOKE)?;诹孔恿W(xué),人們發(fā)現(xiàn)磁性材料的磁光克爾效應(yīng)來源于自旋軌道耦合和自旋劈裂共同作用的結(jié)果。磁光克爾效應(yīng)譜反映其電子態(tài)結(jié)構(gòu),已經(jīng)成為磁性材料和半導(dǎo)體材料電子結(jié)構(gòu)研究的有力工具。基于磁光克爾效應(yīng),人們實(shí)現(xiàn)了磁光存儲(chǔ)技術(shù)、設(shè)計(jì)出各種磁光器件。為了滿足磁光存儲(chǔ)技術(shù)和磁光器件高靈敏的要求,具有大磁光克爾信號的磁光
2、材料一直都是這個(gè)領(lǐng)域工作者所追求的目標(biāo)。
論文包括三個(gè)部分。第一部分是綜述,主要介紹了磁光克爾效應(yīng)的起源、發(fā)展、理論以及改善方法。第二部分是實(shí)驗(yàn)裝置介紹。第三部分包括兩章,是我們的主要工作,利用聚苯乙烯小球(PSS)自組裝的方法,結(jié)合磁控濺射和電化學(xué)沉積,制備了以下兩個(gè)系列的樣品,即鐵磁(金屬)/PSSs(介質(zhì))和貴金屬/鐵磁陣列anti-dot兩個(gè)系列的磁光子晶體薄膜樣品,并對它們的磁光克爾效應(yīng)進(jìn)行了較詳細(xì)的研究。
3、 一、PSSs六角密排結(jié)構(gòu)對磁性薄膜磁光克爾效應(yīng)的調(diào)制。
1、Fe/PSSs磁光子晶體薄膜制備和磁光性能研究
利用膠體自組裝在20 nm鐵薄膜上制備了具有六角密堆積結(jié)構(gòu)的二維(2D)Fe/PSSs晶體結(jié)構(gòu),其周期等于小球直徑d。磁光和反射光譜呈現(xiàn)出了新的現(xiàn)象。首先,在300-800納米的波長范圍內(nèi),相比較于單純Fe薄膜,磁光信號都得到增強(qiáng)。其次,磁光和反射譜有豐富的峰谷結(jié)構(gòu),在d/λ固定的位置,峰谷一一對應(yīng),因此改變
4、小球尺寸,磁光峰的波長位置隨之移動(dòng)。第三,在d/λ=0.78和1.02的位置,無論是克爾峰還是反射谷都極窄。由磁光效應(yīng)對于環(huán)境光學(xué)常數(shù)響應(yīng)靈敏度定義,即S=(a)θk/(a)(n)(λ)=(a)θk/(a)λ1/(a)(n)(λ)/(a)λ,其中(n)(λ)為材料的復(fù)折射率,可以知道Fe/PSSs結(jié)構(gòu)對環(huán)境光學(xué)性質(zhì)呈現(xiàn)很高的靈敏度,特別在波長等于小球直徑位置時(shí)有高的靈敏度。
利用嚴(yán)格耦合波方程和有限時(shí)間差分法對樣品的反射譜做了
5、計(jì)算,結(jié)果表明,在PSSs-Fe薄膜界面上形成了表面等離子體(SPP),在d/λ=0.78,1.02的位置,電磁場在小球內(nèi)形成導(dǎo)波模式(GM),在磁光譜和反射譜中形成強(qiáng)而窄的峰谷結(jié)構(gòu)。不同的表面模式,引起磁光效應(yīng)增強(qiáng)的品質(zhì)因子不同,其中GM模式具有高的品質(zhì)因子。理論分析可知,磁光效應(yīng)增強(qiáng)的物理機(jī)制在于PSSs-Fe結(jié)構(gòu)體系的有效介電常數(shù)大于單純的Fe薄膜,并且接近于空氣的介電常數(shù),這一結(jié)論與P.Fumagalli的結(jié)論是一致的。
6、 2、Fe/PSSs/Au三明治結(jié)構(gòu)磁光子晶體薄膜磁光性能研究。
在Fe/PSSs上面磁控濺射10 nm金,改善Air/PSSs介電常數(shù)差值小的影響。測試結(jié)果表面,三明治結(jié)構(gòu)磁光譜的Q值高達(dá)0.3(通常磁光薄膜小于0.2),而且有極強(qiáng)的波長響應(yīng)(半高寬小于10 nm),可用于高靈敏磁光器件的制作。理論計(jì)算結(jié)果表面,F(xiàn)abry-Pérot干涉和表面等離子體是磁光效應(yīng)增強(qiáng)的來源。
3、MgO(substrate)/L1
7、0-FePt/PS Ss磁光子晶體薄膜制備和磁光性能研究。
通過加熱生長并原位退火的方法,在單晶MgO(001)襯底上生長L10-FePt垂直各向異性薄膜。利用自組裝在其上生長PSSs六角密排結(jié)構(gòu),在其磁光譜和反射譜上,得到了PSSs/Fe磁光子晶體薄膜相類似的結(jié)果。由于薄膜磁性并沒有發(fā)生改變,說明表面模式對L10-FePt/PSSs體系磁光信號起調(diào)制作用,表現(xiàn)為純光學(xué)效應(yīng)。
二、Ag/Co anti-dot陣列性能
8、研究
納米球刻蝕(NSL)是普遍應(yīng)用的一種方法。在Glass/Cr(20nm)/Ag(200nm)薄膜上,利用PSS自組裝制備Ag/PSSs模版,利用三電極法,在間隙沉積Co納米顆粒,融掉PSS,得到磁性Co anti-dot納米陣列,分別改變沉積時(shí)間和晶格得到兩個(gè)系列Co anti-dot樣品。磁光和光學(xué)表征分析可知,體材料的等離子體共振和anti-dot結(jié)構(gòu)共振的共同作用是磁光信號得到調(diào)制的原因。在結(jié)構(gòu)共振中,由于孔的占空
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