磁控濺射沉積BCN薄膜結(jié)構(gòu)與納米摩擦磨損行為研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文通過非平衡磁控濺射方法沉積了BCN薄膜,并系統(tǒng)地研究了不同條件沉積的BCN薄膜的成分、鍵結(jié)構(gòu)、納米力學(xué)性能和納米摩擦磨損行為。通過研究得出了不同沉積條件對BCN薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響規(guī)律,闡明了BCN薄膜的成膜、劃傷和破裂機制。另外對典型工藝制備的BCN薄膜進行了真空和大氣環(huán)境下退火,研究了薄膜的高溫穩(wěn)定性。
  采用X射線光電子能譜(XPS)和傅立葉變換紅外光譜(FTIR)對薄膜的成分和鍵結(jié)構(gòu)進行了研究,結(jié)果表明可以通過調(diào)節(jié)靶

2、表面磁場狀態(tài)、工作氣體中N2分壓使BCN薄膜中各種元素的成分達到連續(xù)可控。隨薄膜中C含量由25at%不斷下降至14at%,薄膜中類BC3.4的B-C鍵含量減少,類B4C的B-C鍵含量增加;引入到薄膜中的N首先與B結(jié)合形成B-N鍵,隨N含量不斷增加至穩(wěn)定值以后,部分N會與C結(jié)合生成C=N鍵。研究還表明,薄膜結(jié)構(gòu)除與薄膜成分有關(guān)以外,還與薄膜的沉積過程有關(guān)。隨靶功率的增加,薄膜結(jié)構(gòu)的無序程度增加;基體偏壓有利于生成B-N鍵,當基體偏壓達到-

3、400V時,生成了sp3雜化的B-N鍵;沉積溫度增加使B-N鍵含量增加。
  本文測試了不同工藝沉積的BCN薄膜的納米力學(xué)性能,結(jié)果表明薄膜的納米力學(xué)性能與薄膜的無序程度、鍵結(jié)構(gòu)的種類和數(shù)量密切相關(guān)。對于BCN薄膜而言,如果薄膜無序程度較低,并含有較多sp2雜化的B-N、C=N鍵,則薄膜的力學(xué)性能較差;隨著薄膜無序程度的增加和sp2雜化鍵含量的減少,薄膜的力學(xué)性能提高;如果薄膜中的sp3雜化的B-N鍵和B-C鍵含量增加,薄膜的力學(xué)

4、性能則會進一步提高。本文制備的薄膜的納米硬度和彈性模量分別位于0.3GPa~36GPa和15GPa~356GPa之間。
  本文對BCN薄膜的納米摩擦磨損行為進行了系統(tǒng)地研究,得到了薄膜摩擦磨損特性與結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能之間的依賴關(guān)系。研究表明對于含N的BCN薄膜而言,力學(xué)性能增加有利于提高薄膜的耐磨性能;對于不含N的薄膜,雖然硬度很高,但耐磨性能卻很差,所以提高薄膜力學(xué)性能和提高薄膜耐磨性之間并非完全一致。基于對薄膜摩擦磨損行為的研究

5、,對本文制備的薄膜提出了三種不同類型的薄膜劃傷機制和失效過程。具有高力學(xué)性能的不含N薄膜,臨界載荷小,摩擦系數(shù)在0.3左右,在劃痕載荷作用下易發(fā)生脆性破裂和剝落,隨劃痕載荷的增加表現(xiàn)出的劃傷失效過程為:彈性變形→薄膜出現(xiàn)微小裂紋→薄膜分層、剝落→薄膜被劃破;具有較高力學(xué)性能的含N的BCN薄膜,臨界載荷增大,摩擦系數(shù)降至0.1以下,隨劃痕載荷的增加表現(xiàn)出的劃傷失效過程為:完全彈性變形→彈性變形為主,出現(xiàn)少量塑性變形→表層薄膜剝落,薄膜被劃

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