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1、深振蕩磁控濺射(Deep Oscillation Magnetron Sputtering,DOMS)是一種新型的高功率脈沖磁控濺射技術(shù)。DOMS產(chǎn)生多組調(diào)制電壓振蕩脈沖,實(shí)現(xiàn)了完全消除電弧放電現(xiàn)象的穩(wěn)定高功率脈沖等離子體放電,獲得了高靶材離化率、高等離子體密度和高沉積速率,顯著提高了沉積薄膜的復(fù)合性能。采用DOMS復(fù)合脈沖直流磁控濺射(Pulsed dcMagnetron Sputtering,PDCMS)技術(shù),在閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射
2、系統(tǒng)中沉積CrN/TiN超晶格薄膜。利用電子探針顯微分析儀、X射線衍射儀、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡和透射電鏡測(cè)試和表征薄膜的成分、結(jié)構(gòu)和殘余應(yīng)力。利用納米壓痕儀、Rockwell C硬度計(jì)、劃痕儀測(cè)試薄膜的納米硬度(H)、納米硬度與有效彈性模量比(H/E*比和H3/E*2比)、Rockwell C壓痕結(jié)合力等級(jí)(HF1-4)和劃痕結(jié)合力臨界載荷(LC1-4)。利用空氣電阻爐研究200-900℃退火溫度下薄膜的熱穩(wěn)定性,利用球-盤(pán)式摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)測(cè)
3、試薄膜的摩擦學(xué)性能,利用陽(yáng)極極化實(shí)驗(yàn)測(cè)試在3.5 wt.% NaCl溶液中薄膜的腐蝕性能。
采用單一的PDCMS技術(shù),脈沖直流磁控濺射靶脈沖頻率100 kHz,周期1.0μs,Cr靶濺射功率(PCr)70-1000 W,Ti靶濺射功率(PTi)2000 W,氮?dú)夂蜌鍤饣旌蠚怏w工作氣壓(Pw)0.67 Pa,氮?dú)夥謮海╢N2)40%,基體負(fù)偏壓(Vs)-30--120 V,沉積了厚度2-2.5μm,調(diào)制周期(Λ)4.4-8.2
4、nm的CrN/TiN超晶格薄膜?;w為單晶Si(100),AISI304L不銹鋼(SS)和WC-6%Co硬質(zhì)合金。薄膜的Cr/(Cr+Ti)原子比0.037-0.573,薄膜為單一B1型面心立方相的納米柱狀晶結(jié)構(gòu),擇優(yōu)取向由(111)向(220)轉(zhuǎn)變,殘余應(yīng)力為-0.81--7.36GPa,硬度(H)為12.4-33.2 GPa,H/E*比和H3/E*比分別為0.0436-0.0832和0.0237-0.214。WC-6%Co基體上沉積
5、的Λ=5.8 nm的薄膜具有高H、H/E*比和H3/E*2比及較低殘余應(yīng)力,獲得了高LC1、LC2和LC3,分別為10.8 N、10.8 N和20.3 N,薄膜劃痕結(jié)合力失效機(jī)制為翹曲失效,熱穩(wěn)定性達(dá)700℃。AISI304L SS基體沉積的薄膜,具有耐磨減摩性能,低摩擦系數(shù)為0.41和低比磨損率為2.3×10-6 mm3N-1 m-1,改善了在3.5 wt.% NaCl水溶液的抗腐蝕性能,腐蝕電位為-40 mV(SCE)和鈍化電流密度
6、為10-2μμAcm-2,腐蝕后薄膜表面點(diǎn)蝕坑的數(shù)量降低,尺寸減小。
采用DOMS+PDCMS復(fù)合技術(shù),深振蕩磁控濺射脈沖頻率66-319 Hz,微脈沖電壓振蕩開(kāi)啟時(shí)間(τon)2μs和關(guān)閉時(shí)間(τoff)40μs,PCr為300-1000 W,脈沖直流磁控濺射靶脈沖頻率100 kHz,周期1.0μs,PTi為2000 W,Pw為0.67 Pa,fN2為40%,Vs為0--100V,沉積了Λ為4.9-10.2 nm,厚度2-3
7、μμm的CrN/TiN超晶格薄膜?;w為Si(100)、AISI304L SS、IN718高溫合金和WC-6%Co。薄膜為單一B1型面心立方相的致密納米柱狀晶結(jié)構(gòu),具有顯著的(111)擇優(yōu)取向,殘余應(yīng)力為-0.72--6.8 GPa。H、H/E*和H3/E*2分別為17-37.3 GPa、0.058-0.094和0.057-0.316。WC-6%Co基體上沉積的Λ=6.3 nm的薄膜具有高H/E*和H3/E*2比、較低殘余應(yīng)力和高基體硬
8、度,獲得了高LC1為41 N,LC2和LC3均大于50N,薄膜劃痕結(jié)合力失效機(jī)制為翹曲失效轉(zhuǎn)變成輕微彈塑性變形。高硬度基體與具有高H/E*和H3/E*2比的CrN/TiN超晶格薄膜之間的變形協(xié)調(diào)一致性,抑制了低殘余應(yīng)力薄膜裂紋的萌生和擴(kuò)展,提高了劃痕結(jié)合力。
采用DOMS+PDCMS復(fù)合技術(shù)沉積的CrN/TiN超晶格薄膜具有耐磨減摩性能,摩擦系數(shù)和比磨損率分別為0.27-1.17和0.2-11×10-6 mm3N-1m-1。較
9、小的Λ、高硬度基體和較低的殘余應(yīng)力促進(jìn)了向氧化磨損為主的磨損機(jī)制轉(zhuǎn)變,摩擦系數(shù)和比磨損率降低。薄膜在摩擦磨損過(guò)程中,承受周期性變化的接觸應(yīng)力作用,高LC1所反映的高彈性應(yīng)變失效和塑性變形抗力降低了接觸切向力,導(dǎo)致摩擦系數(shù)減小。高LC2和LC3所反映的高裂紋擴(kuò)展抗力減少了薄膜破裂和剝落,抑制了磨粒磨損的發(fā)生,降低了比磨損率,顯著提高了薄膜持久的耐磨減摩性能。AISI304L SS基體上沉積的Λ=6.3 nm的薄膜熱穩(wěn)定性達(dá)800℃,無(wú)Ti
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