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文檔簡(jiǎn)介
1、論文的第一章對(duì)Ru系焦餾石氧化物A2Ru2O7以及尖晶石型氧化物ZnCr2O4的結(jié)構(gòu)、輸運(yùn)性質(zhì)、磁性質(zhì)以及其受挫性質(zhì)研究現(xiàn)狀進(jìn)行了綜述。在A2Ru2O7體系中由于幾何受挫所導(dǎo)致的自旋玻璃特性,而在A位進(jìn)行Bi的摻雜則會(huì)導(dǎo)致體系發(fā)生金屬一絕緣體相變,并對(duì)其自旋玻璃磁性產(chǎn)生抑制;而在ZnCr2O4中發(fā)現(xiàn)低溫下可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的零點(diǎn)能基態(tài),從而引起人們對(duì)這類受挫體系基態(tài)的關(guān)注。
論文的第二章,在Eu2Pb2O7中采用Pb對(duì)Eu的部分
2、替代,成功制備了Eu2-xPbxRu2O7(x=0.0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0和1.8)單相樣品,并對(duì)其結(jié)構(gòu)、輸運(yùn)性質(zhì)和磁性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
(1)結(jié)果發(fā)現(xiàn),出于pb2+(1.20(A))離子半徑大于Eu3+(0.95(A))離子半徑,隨著替代濃度x的增加,樣品的品格常數(shù)單調(diào)增大。(2)通過(guò)對(duì)其電阻率一溫度關(guān)系的觀測(cè),發(fā)現(xiàn)隨著Pb摻入濃度x的增加,樣品的電阻率急劇減小。并且在x=0.8附近,樣品發(fā)生了金屬
3、-絕緣體(M-I)相變。通過(guò)對(duì)ρ(T)關(guān)系曲線的分析,發(fā)現(xiàn)在低溫下,x=0.O,0.2,0.4三樣品的電阻率-溫度曲線近似可以用三維變程跳躍導(dǎo)電機(jī)制來(lái)描述,而這種變程跳躍型電阻-溫度關(guān)系是Mott絕緣體的典型特征。(3)通過(guò)對(duì)樣品磁化強(qiáng)度-溫度關(guān)系的觀測(cè),發(fā)現(xiàn)在Eu2Pb2O7樣品中,Ru4+局域磁矩在低溫下呈現(xiàn)自旋玻璃結(jié)構(gòu),而局域的Eu3+磁矩在25K附近又形成了長(zhǎng)程鐵磁序。pb2+對(duì)Eu3+的部分替代,使局域Ru4+磁矩自旋玻璃凍結(jié)
4、溫度TG下降,對(duì)Eu3+局域磁矩的長(zhǎng)程鐵磁序具有破壞作用。
作者認(rèn)為:Ru系焦餾石化合物A2Ru2O7的輸運(yùn)性質(zhì)可以用電荷局域化Mott絕緣體理論來(lái)解釋。Pb對(duì)Eu的部分替代導(dǎo)致體系發(fā)生金屬-絕緣體(M—I)相變的因?yàn)槭?在RE2Ru2O7中,Ru4d電子為局域電子,該體系呈現(xiàn)出絕緣體特性。但是當(dāng)Pb或Bi部分替代了RE后,未滿的Pb或Bi的6p能帶與Ru4d電子的t2g能帶混合,并使其能帶拓寬,當(dāng)能帶寬度大于臨界值時(shí),體
5、系便呈現(xiàn)金屬特性。同時(shí),由于Eu2Pb2O7在低溫下的自旋玻璃性是出于Ru4d電子磁矩的無(wú)規(guī)凍結(jié)而形成,所以當(dāng)體系內(nèi)摻入Pb后,Ru4d電子的巡游性增強(qiáng),從而破壞了體系的自旋玻璃特性。
論文第三章,在制備Zn1-XCdXCr2O4(x=0,0.1,0.2)單相樣品的基礎(chǔ)上,研究了ZnCr2O4的磁性質(zhì)及摻雜Cd后對(duì)其磁性的影響。
(1)通過(guò)對(duì)ZnCr2O4樣品在FC和ZFC兩種條件下磁化強(qiáng)度的測(cè)量,結(jié)果發(fā)現(xiàn):
6、其磁化率在20K以上隨溫度的下降而升高,100K以上的x(T)曲線可以用居里-外斯定律擬合,擬合所得到的有效Bohr磁矩(3.83μB)同計(jì)算所得的Cr3+離子的磁矩(3.83μB)完全相同,居里溫度()CW=-390K。在12K以下,磁化率急劇下降,S-H Lee等人的實(shí)驗(yàn)表明:ZnCr2O4在TN=12.5K附近發(fā)生了反鐵磁相變,體系在12.5K下顯示出長(zhǎng)程磁有序。另一方面,通過(guò)在不同磁場(chǎng)下進(jìn)行的磁化強(qiáng)度一溫度測(cè)量結(jié)果表明:隨著磁場(chǎng)
7、的增強(qiáng),TN以上的磁化率無(wú)明顯變化,而在TN以下的磁化率逐漸變大,這可能是由于反鐵磁相中的磁疇壁移動(dòng)所引起的。
(2)通過(guò)對(duì)摻雜樣品Zn1-xCdxCr2O4的磁化強(qiáng)度-溫度關(guān)系的觀測(cè),結(jié)果發(fā)現(xiàn):摻雜導(dǎo)致體系在低溫下長(zhǎng)程磁有序的消失,并且摻雜樣品的XFC和XZFC值在低溫下不相等,顯示出典型的自旋玻璃特性。這表明:Cd的摻入使得體系的無(wú)序度增加,使體系在低溫下無(wú)法形成長(zhǎng)程磁有序。在100K以上,摻雜樣品的X(T)曲線同樣也
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