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1、本文制備了Ti摻雜的ZnO光催化劑、尖晶石型CuAl2O4光催化劑和Cu基復(fù)合氧化物,并用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)對(duì)其進(jìn)行了結(jié)構(gòu)表征。用上述化合物摻雜AB5型貯氫合金制備了TZMH、CAMH、CMH電極,用Ti摻雜ZnO、CuAl2O4對(duì)貯氫合金電極進(jìn)行表面修飾制備了TZ/MH和CA/MH電極。使用chi660b電化學(xué)工作站、IM6電化學(xué)測(cè)試系統(tǒng)、力興電池測(cè)試系統(tǒng)和LAND電池測(cè)試系統(tǒng)等儀
2、器,測(cè)試了TZ/MH和CA/MH電極的光充電性能、交流阻抗特性、階躍電位曲線,以及TZMH、CAMH、CMH電極的活化、循環(huán)及高倍率充放電等電化學(xué)性能,并與AB5合金電極作了比較。具體工作和結(jié)果如下: 用燃燒合成法制備了Ti摻雜的ZnO(記為xTi-ZnO,x=0.1,0.2,0.3)復(fù)合氧化物光催化劑,XRD分析表明其晶粒平均直徑在20nm左右。SEM檢測(cè)表明其顆粒為微米級(jí),由納米級(jí)薄片團(tuán)聚而成。用0.3Ti-ZnO與AB5型
3、貯氫合金超聲溶膠混合的摻雜方法制備了TZMH,對(duì)貯氫合金電極進(jìn)行表面修飾制成TZ/MH電極。結(jié)果表明,TZ/MH電極在光充電時(shí)放電容量較低,但外加小電流可以改善其光充電性能。紫外光照時(shí),TZ/MH電極的階躍電位測(cè)試響應(yīng)電流大于無(wú)光照的響應(yīng)電流,其電化學(xué)反應(yīng)阻抗小于無(wú)光照時(shí)的阻抗。與AB5合金電極相比,TZMH電極的活化性能和0.2 C放電容量有所降低,1 C循環(huán)容量保持率提高,1C循環(huán)100次時(shí)放電中值電壓有所降低。 用溶膠凝膠
4、法制備了分散良好、粒徑分布均勻、晶粒直徑為15~25nm 的尖晶石型CuAl2O4粉末。用CuAl2O4與AB5型貯氫合金超聲溶膠混合的摻雜方法制備了CAMH,對(duì)貯氫合金電極進(jìn)行表面修飾制成CA/MH電極。CA/MH電極光充電后放電容量為0.187 mAh·g-1,加以輔助電流后放電容量為0.499 mAh·g-1。與AB5合金電極相比,CAMH電極的電化學(xué)反應(yīng)阻抗變化不大,光照有利于其電化學(xué)反應(yīng)的順利進(jìn)行;CAMH電極的活化性能和0.
5、2 C放電容量有所下降,光照可改善其活化性能,提高放電容量;CAMH電極1 C循環(huán)50次后容量保持率在90%以上,高倍率放電性能也得到改善。 使用均勻沉淀法制備了Cu基復(fù)合氧化物,沉淀混合物在不高于500℃下煅燒的產(chǎn)品結(jié)晶度較低,300℃煅燒產(chǎn)品主要成分為CuO,400和500℃煅燒產(chǎn)品的晶體為CuAl2O4。上述晶體平均粒徑為25.06、9.03和12.28nm。用Cu基復(fù)合氧化物粉末摻雜AB5型貯氫合金制備了CMH電極。EI
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