基于擴展Mie理論的平面上方微粒的光散射計算研究.pdf

1、半導體平面上的缺陷檢測問題是近年來半導體集成生產(chǎn)管理(Integrated Yield Management,IYM)領(lǐng)域的一個難點.用光散射方法進行缺陷檢測是國外制造業(yè)普遍采用的一種高效、快速、無損的檢測手段.其中缺陷散射場分布特性計算方法研究是目前國內(nèi)外學者研究的重點問題,即利用數(shù)學建模和計算仿真分析手段,構(gòu)造日益精密復雜化的模型來預報光散射信號.理解與計算缺陷散射場的分布特性、得到探測系統(tǒng)所需要的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)可以指導工程師設(shè)計出靈敏有

2、效的診斷工具.作者通過對國內(nèi)外大量有關(guān)文獻的查閱分析,討論了基于擴展的Mie理論方法求解平面上方小球的散射問題.建立了均勻介質(zhì)小球和分層小球與平面的光散射模型,解決小球和平面的邊界條件問題,并利用矢量波函數(shù)展開的方法求解散射系數(shù)并最終求得了散射場.散射總場是小球本身的散射場,平面反射光形成的散射場,和小球與平面之間的相互作用場的疊加.本文給出了均勻介質(zhì)小球和分層小球的微分散射截面圖并進行了詳細討論.通過對該模型的數(shù)學分析和計算機編程求解