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文檔簡介
1、納米氧化鋅是一種新型的直接寬帶隙半導體低壓熒光材料,是制備半導體激光器、發(fā)光二級管的理想材料。為了實現(xiàn)納米氧化鋅在發(fā)光器件方面的應(yīng)用,需解決其發(fā)光效率和發(fā)光色純度,摻雜和納米化是改善發(fā)光效率和發(fā)光色純度的有效途徑。本文以氧化鋅為基質(zhì)進行了摻雜和納米化的研究。 采用機械力固相化學反應(yīng)法制備了納米ZnO: Eu3+發(fā)光材料。制備所得的產(chǎn)品呈球狀顆粒,粒度為80nm,分布比較均勻,樣品的發(fā)射主峰為615nm,對應(yīng)于Eu3+的高靈敏5D
2、0→7F2躍遷。樣品的發(fā)光強度受摻雜量的影響,在一定范圍內(nèi)發(fā)光強度隨著摻雜濃度的增加呈現(xiàn)增強趨勢,最佳摻雜量為5%。 采用機械力固相化學反應(yīng)法制備了納米級ZnO: Eu3+: Li+發(fā)光材料。產(chǎn)物為比較規(guī)則的球形顆粒,其粒度為50nm,粒度分布較窄。摻雜納米ZnO的最大激發(fā)峰為465nm,發(fā)射光譜為Eu的特征發(fā)射,主峰位于615nm,對應(yīng)于Eu3+的SD0→7F2躍遷。共摻雜的Li+離子有效地敏化了Eu3+,摻雜比為3:1時發(fā)光
3、強度增幅最大。 采用均相沉淀法制備了納米ZnO: Eu3+: Li+發(fā)光材料。合成樣品呈球形顆粒狀結(jié)構(gòu),粒徑為20~40nm。樣品的最大激發(fā)峰為463nm,發(fā)射光譜主峰為611nm,較機械力固相化學法所制的樣品峰位有藍移。共摻雜的Li比例對發(fā)光強度的影響與機械力固相化學法制備的樣品一致。 采用機械力固相化學反應(yīng)法合成了摻雜納米ZnO: RE(Nd,Sm,Dy)發(fā)光材料。摻雜的納米ZnO: RE微觀結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)近球形,分散性較
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