脈沖激光燒蝕沉積納米Si晶?？臻g分布的電流信號(hào)研究.pdf

1、本工作利用了數(shù)字示波器對(duì)脈沖激光燒蝕過(guò)程進(jìn)行監(jiān)測(cè)。在靶前1.5 cm處放置一中心帶孔的擋板以用來(lái)獲取沿靶前軸向運(yùn)動(dòng)的燒蝕產(chǎn)物,擋板后放置一電極板用來(lái)接收傳輸過(guò)來(lái)的燒蝕粒子,由于粒子帶電,產(chǎn)生的電流被電路中的示波器采集。通過(guò)分析不同背景氣體壓強(qiáng)下的電流信號(hào),結(jié)果證實(shí)了電流信號(hào)的各個(gè)峰所代表的意義。結(jié)果顯示,極板與靶距離為2.5 cm時(shí),極板上所接收的納米硅晶粒數(shù)目最多。在空間上隨著偏離靶軸向角度的增加,納米硅晶粒的數(shù)目越來(lái)越小。為了驗(yàn)證電

2、流信號(hào)所得規(guī)律的正確性,設(shè)計(jì)了加入棒狀電極引入了一個(gè)散射電場(chǎng)對(duì)燒蝕過(guò)程影響的實(shí)驗(yàn)。在距離靶前水平方向放置了半圓石英玻璃托,以用來(lái)放置襯底制備薄膜。利用X射線衍射儀、拉曼散射儀和掃描電子顯微鏡對(duì)薄膜進(jìn)行了內(nèi)部結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在散射電場(chǎng)的影響下納米硅晶粒平均尺寸分布變寬。利用MATLAB對(duì)引入散射電場(chǎng)之后進(jìn)行數(shù)值模擬分析,分析結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果規(guī)律一致。本工作通過(guò)新的檢測(cè)手段對(duì)燒蝕過(guò)程進(jìn)行檢測(cè),并提出了一種新的實(shí)驗(yàn)手段對(duì)其進(jìn)行