ZnCdSe量子點的制備及其表征.pdf

1、作為納米技術(shù)的一個重要組成部分，半導(dǎo)體量子點不但在基本物理問題上具有獨特的性質(zhì)，而且在光電子器件方面也有巨大的潛在應(yīng)用。因而長期以來，量子點的研究一直是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的前沿和熱點。針對半導(dǎo)體量子點研究中的熱點問題，本論文主要對ZnCdSe量子點的制備和表征進行了研究，取得的主要結(jié)果如下：1．在Stranski-Krastanow(S-K)模式下制備了ZnCdSe量子點，在生長量子點之前，先數(shù)值計算了系統(tǒng)的臨界厚度，然后在該臨界厚度值的指

2、導(dǎo)下進行了量子點的制備。該方法為較小失配下S-K模式量子點的制備提供了途徑。另外，利用Volmer-Weber(V-W)模式在晶格匹配襯底上制備了ZnSeS量子點，并研究了量子點的形成過程。2．利用量子點在不同形成和熟化階段具有不同的光學(xué)性質(zhì)這一思想，通過測量ZnCdSe／ZnSe量子結(jié)構(gòu)的發(fā)光峰的位置與相對強度的變化，獲得了量子點的形成和熟化信息，從而既解決了一般金屬有機物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備由于沒有原位監(jiān)測儀器而無法對量子