低孔隙率 HEDP 鍍銅工藝及鍍層性能研究.pdf

1、酸性硫酸鹽、焦磷酸鹽等鍍銅工藝由于鍍層結合力差、孔隙率高等缺點，無法滿足航空企業(yè)對鍍銅層性能多樣化的要求，因此，我國航空企業(yè)鍍銅工藝目前依然以含劇毒氰化物的氰化鍍銅工藝為主，而HEDP鍍銅工藝能夠在鋼鐵件上直接電鍍，鍍液深鍍能力好，電流效率高而廣受關注。
　　針對鍍銅層孔隙率高的缺點，在HEDP鍍液中加入添加劑A、B，研究其陰極極化作用、潤濕作用、整平作用，確定添加劑的適宜濃度，同時輔助施加陰極移動降低鍍層孔隙率，并從鍍液和鍍層性

2、能角度，將HEDP鍍銅與氰化鍍銅工藝進行綜合比較；采用滴定分析方法測試了HEDP鍍銅液中Cu2+、HEDP含量隨通電量的變化，并依據(jù)工藝要求進行調整維護；采用電化學等試驗方法，比較不同鈍化工藝對HEDP鍍銅層耐蝕性的影響，并對其機理進行初步探討。主要研究結果如下：
　　在HEDP鍍銅基礎液中加入0.4 g/L添加劑A和2 mg/L添加劑B，添加劑的吸附作用使得極化電位提高，阻化銅的沉積并使晶粒得到細化，添加劑A能夠降低鍍液的表面張

3、力和固液界面自由能，增強鍍液對陰極界面的潤濕能力，有利于鍍液在試樣表面的鋪展，從而有效抑制析氫反應，同時輔助施加3 cm/s的陰極移動，縮短了氫氣泡在試樣表面的滯留時間，加速氫氣泡的脫附逸出，避免了較大尺寸針孔和麻點的形成，鍍層內部組織連續(xù)、結構致密。當鍍層厚度僅8μm時孔隙率便可為0，而在相同的鍍層厚度下，氰化鍍銅及其他無氰鍍銅工藝均有較高的孔隙率。
　　HEDP鍍銅溶液的深鍍能力、分散能力均達到或超過氰化鍍銅工藝的水平，尤其陰

4、極電流效率遠高于氰化鍍銅工藝，此外，進行滲碳熱處理時，HEDP鍍銅層厚度約15μm，便可有效防止碳的擴散滲透，明顯優(yōu)于氰化鍍銅工藝，其根本原因在于鍍液電流效率高、鍍層孔隙率低且結合力好。30CrMnSiNi2A試樣經(jīng)HEDP鍍銅工藝處理后的氫脆性能合格；HEDP鍍銅工藝對30CrMnSiA試樣疲勞壽命的影響程度與氰化鍍銅工藝相當。對于1 L的HEDP鍍銅溶液，隨著通電量的增大，鍍液中Cu2+含量基本穩(wěn)定，絡合劑HEDP會發(fā)生水解導致含量