簡介：帶隙基準(zhǔn)電壓源是當(dāng)前集成電路中最重要的模塊之一。隨著便攜式電子設(shè)備的迅速發(fā)展，高PSR、高精度和低功耗成了帶隙基準(zhǔn)電壓源的研究熱點。其中改善PSR有利于減小數(shù)?；旌霞呻娐返南嗷ジ蓴_，提高片上系統(tǒng)的集成度提高精度則可以改善電路的關(guān)鍵性能，減少修調(diào)時問此外，降低電路功耗則始終是便攜式電子設(shè)備關(guān)注的焦點。然而，這三個性能之間存在著明顯的折衷關(guān)系，這給帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計帶來了很大的挑戰(zhàn)。本文在保證帶隙基準(zhǔn)電壓源高PSR的基礎(chǔ)上，重點研究提高精度和降低功耗的技術(shù)。首先從帶隙基準(zhǔn)電壓源的基本原理出發(fā)，詳細(xì)推導(dǎo)了電源抑制表達(dá)式，接著分析了影響初始精度的各個因素，最后分析了降低電路功耗的方法。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計了兩款帶隙基準(zhǔn)電壓源，分別為高PSR、高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源和高PSR、低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源。其中高PSR、高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源在傳統(tǒng)的一階溫度補(bǔ)償?shù)幕A(chǔ)上增加了自適應(yīng)工藝調(diào)節(jié)電路，減小了由工藝角變化引起的輸出電壓誤差，提高了精度，采用預(yù)調(diào)節(jié)電流源技術(shù)，提高了PSR高PSR、低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源采用了一種新型的一階補(bǔ)償結(jié)構(gòu)，在保證帶隙基準(zhǔn)電壓源正常工作的同時去除了冗余結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了低功耗，采用了共源共柵結(jié)構(gòu)，提高了PSR。本文基于CSMC1ΜMBCD700V工藝對高PSR、高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了后仿真，精度達(dá)士15％，100HZ處PSR為100DB，1KHZ處為75DB?；贑SMC08ΜMBCD700V工藝對高PSR、低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了后仿真，靜態(tài)電流僅為1ΜA，100HZ處PSR為65DB，1KHZ處為48DB。后仿真結(jié)果表明，所設(shè)計的基準(zhǔn)電壓源具備良好的性能指標(biāo)，達(dá)到了設(shè)計要求，目前芯片正在進(jìn)行流片。

簡介：1553B總線由于其可靠性、低成本、高精度等特性已經(jīng)廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代武器系統(tǒng)中而且已成為坦克、軍用船艦、軍用戰(zhàn)斗機(jī)等武器平臺上電子系統(tǒng)的主要工作支柱。1553B總線是實時系統(tǒng)總線主要應(yīng)用于嵌入式芯片上由于采用AMBA作為系統(tǒng)總線SPARC多核SOC芯片在嵌入式領(lǐng)域中越來越廣的使用使得基于AMBA總線的1553B高可靠模塊的設(shè)計與研究具有重要意義可以為基于AMBA系統(tǒng)總線的嵌入式芯片開拓一個重要應(yīng)用領(lǐng)域。本文基于GRLIBIP庫對AMBA1553B接口模塊進(jìn)行了設(shè)計與開發(fā)。文章首先深入研究了AMBA總線系統(tǒng)主要對AMBAAHB和AMBAAPB總線的設(shè)計和實現(xiàn)進(jìn)行了深入分析。在此基礎(chǔ)上對GRLIBIP庫的體系結(jié)構(gòu)、開發(fā)流程和特點進(jìn)行了分析研究GRLIBIP庫是一套符合GPL標(biāo)準(zhǔn)的免費(fèi)、開源、可復(fù)用的軟IP核庫具有高度可配置性、可擴(kuò)展性、可移植性和兼容性。其次本文對1553B總線標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了深入的研究重點對1553B總線的工作模式、傳輸字格式和信息格式進(jìn)行了深入理解對和本次設(shè)計相關(guān)的模塊進(jìn)行了軟IP核的設(shè)計與實現(xiàn)主要包括IP核初始化、總線遠(yuǎn)程終端的設(shè)計、總線控制器的設(shè)計。最后對設(shè)計的1553B相關(guān)模塊結(jié)合GRLIBIP庫實現(xiàn)了AMBA1553B總線接口。主要實現(xiàn)了AMBA與遠(yuǎn)程終端接口的設(shè)計和AMBA與總線控制器的設(shè)計與實現(xiàn)。兩個接口分別通過AHB接口訪問AMBA系統(tǒng)存儲器AMBA系統(tǒng)通過APB接口對1553B模塊的寄存器配置實現(xiàn)了對1553B總線的控制。文章最后后利用馬爾科夫過程對接口的可靠性進(jìn)行了理論分析同時結(jié)合GRLIBIP庫對實現(xiàn)的接口進(jìn)行了模擬仿真實驗驗證了接口設(shè)計的正確性。

簡介：自從第一根光子晶體光纖誕生以來，光子晶體光纖（又稱為微結(jié)構(gòu)光纖）由于具有普通光纖所無法比擬的結(jié)構(gòu)設(shè)計和光學(xué)特性等優(yōu)勢，引起了產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注，在短短的十幾年內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域的研究取得了舉世矚目的成就。隨著新型結(jié)構(gòu)的光子晶體光纖不斷呈現(xiàn)和產(chǎn)品化，制造工藝日益完美，基于光子晶體光纖的傳感技術(shù)研究在國際上備受關(guān)注。本論文的選題主要來源于國家973項目“新型光子晶體光纖的基礎(chǔ)研究”（編號2010CB327801）中的內(nèi)容。隨著光子晶體光纖應(yīng)用范圍的不斷深入和擴(kuò)展，設(shè)計新型高性能光子晶體光纖并實際應(yīng)用成為一項重要的內(nèi)容。本文圍繞新型光子晶體光纖的結(jié)構(gòu)設(shè)計和空芯光子晶體光纖氣體傳感研究展開，主要內(nèi)容和創(chuàng)新點歸納如下1設(shè)計了一種光纖的包層結(jié)構(gòu)是由大小不同的圓形空氣孔按六邊形排列的，纖芯中心沿著X軸引入兩個橢圓空氣孔的光子晶體光纖。仿真結(jié)構(gòu)表明合理選擇光纖參數(shù)后，在波長為155ΜM處，該P(yáng)CF的雙折射B10929102，比傳統(tǒng)光纖高兩個數(shù)量級，非線性系數(shù)最大值可達(dá)Γ535W1KM1。2設(shè)計了一種八邊形光子晶體光纖結(jié)構(gòu)，該光纖在波長155ΜM處具有高達(dá)B168102的雙折射，同時具有Γ60W1KM1的高非線性系數(shù)和06DBKM的低損耗，并且得到了反常色散。3設(shè)計了一種超高雙折射雙零色散的新型光子晶體光纖。模擬結(jié)果表明在波長155ΜM處，得到了超高雙折射值302102，該光纖的波導(dǎo)色散和總色散都在800NM1600NM波長范圍內(nèi)出現(xiàn)了雙零色散點。最后研究了溫度對該光纖雙折射的影響。結(jié)果表明雙折射對溫度的影響很靈敏，并且雙折射與溫度成線性關(guān)系，這為該光纖做溫度傳感提供了一個較好的理論基礎(chǔ)。4設(shè)計了一種液體選擇性填充的一種新型高雙折射光子晶體光纖。研究了光纖結(jié)構(gòu)參數(shù)和填充液體的折射率對雙折射特性的影響。仿真結(jié)果表明在很寬的波長范圍內(nèi)可以實現(xiàn)高雙折射，最大雙折射達(dá)到102量級。5設(shè)計了一種十字型光子晶體光纖HCPCF，并且在波長15ΜM167ΜM范圍內(nèi)，對氣體對于十字型HCPCF結(jié)構(gòu)的相對靈敏度的影響進(jìn)行了理論研究，在整個波長范圍內(nèi)得到了高于0955的相對靈敏度。利用HC155001空芯光子晶體光纖作為氣室，設(shè)計了一種新型光譜吸收型甲烷氣體傳感器。實驗測量了甲烷氣體在2V3吸收帶的吸收光譜，并與數(shù)據(jù)庫中有關(guān)數(shù)據(jù)做對比，取得了較好的結(jié)果。

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簡介：隨著科學(xué)技術(shù)的不斷創(chuàng)新發(fā)展，人們對光學(xué)系統(tǒng)的要求也不斷提高，普通的定焦距鏡頭不能滿足人們同時對大區(qū)域物體概觀和對小區(qū)域物體分辨的需求。變焦鏡頭相比于定焦鏡頭，可以通過改變焦距來調(diào)整成像放大倍率，方便的實現(xiàn)對目標(biāo)物體的大體及細(xì)節(jié)的觀察。設(shè)計出高性能變焦系統(tǒng)無疑是非常具有意義的。目前變焦系統(tǒng)在可見光、近紅外光寬光譜區(qū)域應(yīng)用，長焦距及高變倍比與系統(tǒng)長度、體積限制的矛盾，使得高變倍比寬光譜變焦系統(tǒng)設(shè)計存在困難。而科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，高精度加工技術(shù)的日趨成熟，使在變焦系統(tǒng)中引入高次非球面以及衍射面元件來弱化各種設(shè)計要求之間的沖突，校正系統(tǒng)成像像差成為可能。本文介紹了連續(xù)變焦系統(tǒng)的發(fā)展歷史闡述了變焦系統(tǒng)的基本原理高次非球面元件以及二元衍射面元件的結(jié)構(gòu)原理及像差特性分析了高變倍比寬光譜連續(xù)變焦系統(tǒng)設(shè)計的難點所在并提出了一種應(yīng)用高次非球面以及衍射面元件的高變倍比寬光譜連續(xù)變焦鏡頭的設(shè)計方案完成了其光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計及模擬分析同時分析了該系統(tǒng)的公差，給出了合理的補(bǔ)償加工及組裝產(chǎn)生的累積公差影響，以確保系統(tǒng)在組裝后能達(dá)到理想的設(shè)計指標(biāo)。本文的創(chuàng)新點有1、相對于以往的變焦系統(tǒng)而言，本文所設(shè)計的變焦系統(tǒng)系統(tǒng)擁有可見光及近紅外寬光譜應(yīng)用和高變倍比的優(yōu)勢。2、本文提出在高變倍比變焦系統(tǒng)設(shè)計中采用非球面及衍射面元件，單色像差及色差能夠更容易校正。

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簡介：LED照明正在逐漸占據(jù)主流的照明應(yīng)用，對于LED家用照明應(yīng)用，為減少對電網(wǎng)的影響，國際上有相應(yīng)那標(biāo)準(zhǔn)對其功率因數(shù)和諧波含量做了相關(guān)限制，典型的標(biāo)準(zhǔn)為IEC6100032CLASSC和美國能源之星關(guān)于照明的標(biāo)準(zhǔn)，因此對于LED照明系統(tǒng)必須加入相應(yīng)的功率因數(shù)校正。常見的帶功率因數(shù)校正功能的照明系統(tǒng)需要采用兩級結(jié)構(gòu)，其中第一級實現(xiàn)功率因數(shù)校正，第二級實現(xiàn)直流直流變換來得到恒定的輸出電流，該類系統(tǒng)需要兩個獨立的控制環(huán)路，成本較高。目前，單級式的功率因數(shù)校正電路逐漸在低成本應(yīng)用中越來越受到關(guān)注，單級電路即把功率因數(shù)校正電路和直流直流變換電路合二為一。原邊反饋指的是利用原邊繞組或者輔助繞組來檢測輸出特性的一種反饋方式，其不需要像傳統(tǒng)反饋方式一樣對輸出進(jìn)行采樣后通過光耦等器件反饋回原邊，大大減低了系統(tǒng)成本，同時提高了系統(tǒng)可靠性。原邊反饋的另一大優(yōu)勢是可以通過該方式對芯片供電，以節(jié)省在原邊啟動電阻上引起的功率損耗。本論文針對室內(nèi)LED照明研究并設(shè)計一款寬電壓輸入范圍的單級反激式原邊反饋帶功率因數(shù)校正功能的LED驅(qū)動器，無需高壓電解電容，大大節(jié)省了系統(tǒng)元件數(shù)量和成本，只需極少量的器件即可實現(xiàn)高功率因數(shù)和高精度電流控制。系統(tǒng)采用固定關(guān)斷時間控制模式，簡化環(huán)路補(bǔ)償。芯片采用CSMC05UM60VBCD工藝設(shè)計實現(xiàn)。系統(tǒng)采用7顆1W高亮LED做為負(fù)載，前仿真結(jié)果顯示輸出電流的精度達(dá)到±5％以內(nèi)，PF在所有CNER條件下大于09，諧波總含量小于20％。同時芯片對量產(chǎn)測試設(shè)計了獨立的接口電路，在最少的激勵條件下，可實現(xiàn)對芯片關(guān)鍵項的準(zhǔn)確測試，節(jié)省測試成本。最后完成了芯片的版圖設(shè)計，整體面積為16UM17UM，預(yù)采用SOP8封裝。芯片目前等待流片。

簡介：高速線材的軋后控制冷卻工藝，與軋后自然冷卻相比，不僅可以提高冷卻速度，減少氧化損耗，而且可以保證產(chǎn)品質(zhì)量，因此得到廣泛應(yīng)用。在控制冷卻過程中，吐絲溫度是關(guān)鍵的工藝參數(shù)，對產(chǎn)品性能有重要影響。國內(nèi)外學(xué)者對吐絲溫度控制模型進(jìn)行了大量的研究。從最初的半解析半經(jīng)驗公式，到現(xiàn)在的有限差分計算應(yīng)用到在線控制模型中去，吐絲溫度控制精度不斷提高。首鋼高線建于1987年，其水冷段的控制方式較落后，吐絲溫度控制精度較差，造成產(chǎn)品性能不穩(wěn)定等一系列問題，已經(jīng)不能滿足實際生產(chǎn)需要。本論文來源于首鋼高線廠“軋后水冷系統(tǒng)改造”項目，目標(biāo)是通過此次升級改造，提高軋后水冷段的自動控制水平，改善吐絲溫度控制精度，實現(xiàn)全長平均溫度與目標(biāo)溫度偏差±15℃達(dá)到2Σ水平。本文在對國內(nèi)外高線控制冷卻系統(tǒng)研究的基礎(chǔ)上，使用有限差分法建立了高速線材精軋后水冷段傳熱數(shù)學(xué)模型，針對不同鋼種確定了不同的換熱系數(shù)。根據(jù)首鋼高線生產(chǎn)線情況設(shè)計了軋后冷卻控制系統(tǒng)，設(shè)計與開發(fā)了水冷二級系統(tǒng)功能模塊。對軋后冷卻系統(tǒng)進(jìn)行了現(xiàn)場調(diào)試，通過現(xiàn)場實測數(shù)據(jù)對模型參數(shù)進(jìn)行自適應(yīng)計算，提高模型預(yù)報精度。本文開發(fā)的高線軋后水冷控制系統(tǒng)目前運(yùn)行穩(wěn)定，精度達(dá)到了設(shè)計目標(biāo)。

簡介：在工業(yè)自動化檢測、計算機(jī)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、測量儀器儀表等諸多工業(yè)控制與測量工作中需要解決的一個共性問題就是工業(yè)現(xiàn)場模擬信號采集時的抗干擾問題。事實證明采用光電耦合隔離放大器是行之有效的方法之一。由于其結(jié)構(gòu)簡單、體積小、抗干擾能力強(qiáng)所以被廣泛應(yīng)用。然而長期以來模擬量光電隔離一直是數(shù)據(jù)采集和測控電路中的一個比較棘手的問題主要因為是普通光電耦合器件一般線性范圍都很窄且溫度系數(shù)較大元件參數(shù)分散。因此線性度是光隔離放大器的一個重要參數(shù)它表示光隔離放大器的信號傳輸精度。本文對國內(nèi)外光電耦合隔離放大電路的設(shè)計方法做了廣泛的調(diào)查研究分析了這些方法的工作原理和各自的優(yōu)缺點。在吸收國內(nèi)外先進(jìn)光電子與微電子集成技術(shù)的基礎(chǔ)上為滿足工業(yè)模擬信號采集對線性度和速度日益增長的要求設(shè)計了一種新型的BICMOS光電耦合隔離放大器。文中根據(jù)要求設(shè)計了高發(fā)射效率且能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的硅發(fā)光二極管光發(fā)射器；設(shè)計了高速并能與標(biāo)準(zhǔn)BICMOS工藝兼容的PIN雪崩光電二極管光接收器；同時還根據(jù)光電耦合效率和速度的不同要求設(shè)計了相應(yīng)的CMOS輸入放大電路和BICMOS輸出放大電路。論文還針對光電子與微電子工藝技術(shù)的不同特點對整個光發(fā)射器電路的線性度、響應(yīng)速度、抗干擾能力等性能指標(biāo)作出了改進(jìn)。根據(jù)所設(shè)計的光發(fā)射器和光接收器的結(jié)構(gòu)、工藝特點分別進(jìn)行了電路建模與分析通過PSPICE80軟件對它們組成的光電耦合器進(jìn)行了數(shù)值模擬。采用標(biāo)準(zhǔn)的臺積電TSMC035ΜMBICMOS工藝模型用PSPICE80軟件對所設(shè)計的BICMOS光電耦合隔離放大器的整體電路進(jìn)行了仿真試驗。結(jié)果表明在5V的電源電壓下所設(shè)計的BICMOS光電耦合隔離放大器增益線性度達(dá)到55105±3DB帶寬達(dá)85MHZ靜態(tài)功耗為613MW而時延只有568NS實現(xiàn)了預(yù)期的設(shè)計要求。

簡介：低壓差線性穩(wěn)壓器LDO具有電路簡單、功耗低、輸出噪聲小、電源抑制比PSRR高等優(yōu)點，成為電源管理芯片重要部分，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。隨著SOC芯片的快速發(fā)展，無片外電容LDO成為新型穩(wěn)壓器研究熱點。本文設(shè)計一款適合于SOC集成的片外電容LDO芯片，使其具有環(huán)路穩(wěn)定性好和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度快的特點，在集成電子等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。本文對傳統(tǒng)LDO和無片外電容LDO的穩(wěn)定性進(jìn)行分析。針對芯片面積小的要求，采用一階RC補(bǔ)償和極點分裂法滿足系統(tǒng)穩(wěn)定性要求電阻采用工作在線性區(qū)的MOS管代替，降低芯片面積。仿真結(jié)果表明，相位裕度最差為645°，最好為83°，保證系統(tǒng)在整個工作范圍的穩(wěn)定性。系統(tǒng)對電源噪聲抑制能力較好，在低頻和1KHZ時，系統(tǒng)電源抑制比最差分別為5882DB和56DB。對電路加入前饋通路，提高系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)特性。在1ΜS內(nèi)，電壓由3V變?yōu)?V，向上輸出過沖最大為116MV，向下過沖最大310MV，負(fù)載電流從0變化到50MA，向上、向下過沖均小于300MV。系統(tǒng)寬電壓輸入范圍26V55V，溫度范圍40℃150℃，可提供50MA最大負(fù)載電流。在最差情況下，壓差僅為96MV。在電源電壓為3V時，靜態(tài)電流最大約57ΜA。為提高整體電路的可靠性，加入過溫保護(hù)電路。當(dāng)溫度升高到140℃時，過溫保護(hù)電路啟動，具有20℃的典型遲滯范圍。整個系統(tǒng)采用06ΜM標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計，并利用CADENCE軟件的SPECTRE仿真器進(jìn)行仿真工作。仿真結(jié)果滿足設(shè)計要求。

簡介：隨著國家節(jié)能減排政策的出臺節(jié)約能源和資源越來越受到人們的重視。本文所研究的馬克特低碳高鉻鑄鋼襯板也因其良好的機(jī)械性能和耐磨性同時節(jié)約大量金屬合金元素節(jié)約資源并降低生產(chǎn)成本得到推廣應(yīng)用。文章主要針對生產(chǎn)廠家在使用消失模技術(shù)生產(chǎn)襯板時遇到的縮孔、縮松等問題設(shè)計一套保溫冒口有效地解決生產(chǎn)中的實際問題提高襯板的質(zhì)量。熱處理幾乎是每個襯板到實際使用中間必不可少的一步它是改善襯板組織性能的最直接的方式。文章通過設(shè)計不同的熱處理工藝并通過對熱處理后襯板試樣的組織分析、力學(xué)性能和耐磨性的綜合比較找出適合馬克特襯板的熱處理工藝使其達(dá)到良好硬度和韌性組合獲得優(yōu)良的耐磨性能。通過實驗及分析可以得出試樣在在960℃保溫15小時爐冷到670℃并保溫一個小時后再升溫到900℃保溫2小時油淬260280℃回火出爐空冷這個熱處理方案下能獲得很好的強(qiáng)韌性配合此時其硬度為596HRC沖擊韌性為85JCM2相對磨損性為13106。通過生產(chǎn)和工業(yè)性試驗也證實了設(shè)計的冒口及熱處理工藝的合理性。

簡介：日益突出的霧霾等環(huán)境問題，驅(qū)使著節(jié)能減排和綠色能源等環(huán)境保護(hù)事業(yè)的快速發(fā)展。LED作為一種綠色環(huán)保的新型半導(dǎo)體固態(tài)照明光源，以其發(fā)光效率高、低碳健康、安全節(jié)能、綠色環(huán)保和可靠耐用等優(yōu)點受到各界關(guān)注，促使LED相關(guān)產(chǎn)業(yè)在近幾年來成為發(fā)展的重點。由于LED照明同其他電氣照明一樣是一種非阻性負(fù)載，因而需要對其進(jìn)行功率因數(shù)校正，限制諧波電流，減小諧波對電網(wǎng)的“污染”，這也對LED驅(qū)動電源芯片的設(shè)計提出了更高的要求。本文首先介紹了功率因數(shù)與總諧波失真，并對有源功率因數(shù)校正技術(shù)中的基本導(dǎo)通模式與控制方式進(jìn)行了概述與分析。其次，基于單周期控制策略提出了改進(jìn)的固定關(guān)斷時間控制的ACDCLED驅(qū)動電路。芯片工作在斷續(xù)導(dǎo)通模式下以減小繞組與整機(jī)體積單周期控制策略采用非常簡單的控制器實現(xiàn)，且電壓環(huán)路中不必引入乘法器，適合構(gòu)建一個低成本、高性能的高功率因數(shù)驅(qū)動電路固定關(guān)斷時間控制方式保證系統(tǒng)在低功率場合中，滿足較佳輕載與滿載效能的同時亦盡可能的減少了系統(tǒng)體積，降低了整機(jī)成本。但本策略會導(dǎo)致輸入電壓零交越附近產(chǎn)生電感電流失真，導(dǎo)致輸入電流的總諧波失真增大，降低了功率因數(shù)。為避免零交越失真現(xiàn)象，本文設(shè)計的控制電路中加入了零交越補(bǔ)償技術(shù)，以降低總諧波失真，提高功率因數(shù)。本文對加入零交越補(bǔ)償技術(shù)的固定關(guān)斷時間控制的LED驅(qū)動電路進(jìn)行建模，使用SIMPLIS軟件對改進(jìn)的電路模型進(jìn)行了有效性驗證，并對控制電路補(bǔ)償模塊進(jìn)行了參數(shù)選取與優(yōu)化，并分析討論了主要參數(shù)對輸入電流的影響。在此基礎(chǔ)上，本文采用HHNEC05ΜM5V40VHVCMOS工藝對芯片進(jìn)行了MOS級電路設(shè)計，使用CADENCESPECTRE進(jìn)行了仿真驗證，最后繪制了版圖并流片，芯片版圖尺寸為1950ΜM2730ΜM。通過對原型電路進(jìn)行測試，交流輸入電壓在85V～265V范圍內(nèi)，輸出功率在7～12W時，整個系統(tǒng)的功率因數(shù)達(dá)098以上，最高達(dá)到09992，總諧波失真度典型值為1011％，最小值僅為467％，滿足了設(shè)計指標(biāo)。

簡介：點擊查看更多高可靠路由器主板驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計與實現(xiàn).pdf精彩內(nèi)容。

簡介：云計算（CLOUDCOMPUTE）是IT技術(shù)發(fā)展的最新趨勢，正受到業(yè)界和學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注。它是伴隨著分布式處理、并行處理以及網(wǎng)格計算這些技術(shù)的不斷發(fā)展，而新興的一種共享基礎(chǔ)架構(gòu)的方法。云計算能夠?qū)崿F(xiàn)自我維護(hù)并能對龐大的虛擬資源進(jìn)行管理，進(jìn)而對外提供各種IT服務(wù)。與傳統(tǒng)的IT服務(wù)相比，云計算提供的是一種按需申請的服務(wù)，用戶用多少服務(wù)付多少費(fèi)用。這種新興的服務(wù)方式不但大大的降低了使用門檻，同時也節(jié)省了開銷。鑒于云計算相對于傳統(tǒng)IT服務(wù)的巨大優(yōu)勢，云計算已擁有了巨大的市場，GOOGLE、IBM、MICROSOFT、AMAZON、SUN、HP等國際大公司已紛紛涉足云計算領(lǐng)域。與此同時，云計算也在通信、金融、教育等要求大規(guī)模并行處理的領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用，比如由中國移動研究院開發(fā)的PDM數(shù)據(jù)挖掘系統(tǒng)和HUGETABLE。本文主要工作包括對云平臺上高可用數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)進(jìn)行了需求分析，并設(shè)計與實現(xiàn)了一個采用共享存儲方案，在一個基于OPENSTACK的私有云平臺上部署和運(yùn)行的高可用云數(shù)據(jù)庫。本文通過調(diào)用自動化運(yùn)維工具SALTSTACK實現(xiàn)對云數(shù)據(jù)庫服務(wù)器的相關(guān)操作，以MYSQL數(shù)據(jù)庫為例，采用C和PYTHON分別在云平臺端和SALTSTACK服務(wù)器底層實現(xiàn)了云數(shù)據(jù)庫相關(guān)功能，包括底層添加物理服務(wù)器池、創(chuàng)建數(shù)據(jù)庫實例、數(shù)據(jù)庫實例的備份與恢復(fù)等，并對上述功能進(jìn)行簡單的測試。此外，本文還介紹了云數(shù)據(jù)庫相關(guān)技術(shù)、云平臺的體系結(jié)構(gòu)和云平臺的組網(wǎng)邏輯與安裝部署。

簡介：ROID是GOOGLE公司在2007年11月05日向外界宣布的基于LINUX內(nèi)核的智能手機(jī)操作系統(tǒng)，由于LINUX內(nèi)核遵循開源協(xié)議，因此它是首個開源手機(jī)操作系統(tǒng)。該智能手機(jī)系統(tǒng)由LINUX內(nèi)核、ROID運(yùn)行時、應(yīng)用程序框架和應(yīng)用軟件組成。目前，伴隨移動互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，ROID已經(jīng)成為最流行的智能手機(jī)操作系統(tǒng)之一，各大OEM產(chǎn)商紛紛進(jìn)入ROID手持設(shè)備聯(lián)盟，爭搶移動互聯(lián)網(wǎng)的制高點。由于ROID是建立在LINUX內(nèi)核基礎(chǔ)之上，在某些方面不是非常適合移動設(shè)備的需求，比如LINUX內(nèi)核的休眠喚醒功能不能盡可能地讓系統(tǒng)進(jìn)入休眠狀態(tài)，還有它的CPU動態(tài)調(diào)頻策略過多的讓CPU運(yùn)行在最高頻率上，加上手機(jī)又受到電池容量的限制，勢必要尋求一些解決方案，彌合LINUX內(nèi)核作為手機(jī)設(shè)備的軟件核心的一些不足。本文的主旨是面對移動設(shè)備電池供電的限制，在ROID智能手機(jī)操作系統(tǒng)上做出一些設(shè)計和優(yōu)化，來緩解移動設(shè)備待機(jī)時間普遍偏短的情況。主要的工作是設(shè)計實現(xiàn)基于ROID的休眠喚醒機(jī)制，保證手機(jī)最大限度地節(jié)省電池電量其次是設(shè)計實現(xiàn)一種新的CPU動態(tài)調(diào)頻策略管理器，取名MOBILE，在滿足系統(tǒng)響應(yīng)速度外，盡可能能的使CPU運(yùn)行在適當(dāng)?shù)念l率上，最后基于新的CPU動態(tài)調(diào)頻策略和LCD背光，設(shè)計實現(xiàn)了基于使用場景的電源管理方案。經(jīng)過系統(tǒng)驗證，本文達(dá)到了需求目標(biāo)，降低了智能手機(jī)的功耗。