2,2-雙(4-氨基苯氧基苯基)丙烷型聚酰亞胺的合成及電存儲(chǔ)性能研究.pdf

1、密級(jí)桂林電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文（全日制專(zhuān)業(yè)學(xué)位碩士）（全日制專(zhuān)業(yè)學(xué)位碩士）題目22雙（4氨基苯氧基苯基）丙烷型聚酰亞胺的合成及電存儲(chǔ)性能研究(英文英文)Researchonthesynthesisofthe22bis(4aminophenoxyphenyl)propanetypepolyietheelectricalmemyacteristics研究生學(xué)號(hào):1310302022研究生姓名:范麗麗指導(dǎo)教師姓名、職務(wù)指導(dǎo)教師姓名、職務(wù):戴

2、培邦副教授申請(qǐng)學(xué)位門(mén)類(lèi):工程碩士學(xué)科、專(zhuān)學(xué)科、專(zhuān)業(yè)名稱(chēng):材料工程提交論文日期:2016年4月論文答辯日期:2016年6月摘要I摘要聚酰亞胺（PI）材料具有良好的熱穩(wěn)定性、柔韌性、成膜性及低介電常數(shù)等優(yōu)點(diǎn)，在電子器件中得到廣泛關(guān)注。其中有吸電子與給電子基團(tuán)的聚酰亞胺能表現(xiàn)出良好的阻變性能，但大部分聚酰亞胺難溶難熔，使得用旋涂法制備器件的功能層變得困難。本文通過(guò)溶液縮聚法合成聚酰胺酸溶液，用旋涂法將聚酰胺酸涂于ITO玻璃上，經(jīng)亞胺化獲得一系

3、列聚酰亞胺薄膜作為功能層，用真空蒸鍍法制備頂電極，得到三明治結(jié)構(gòu)阻變存儲(chǔ)器。該存儲(chǔ)器表現(xiàn)出良好的電存儲(chǔ)性能。以芳香長(zhǎng)鏈二胺2，2雙（4氨基苯氧基苯基）丙烷(BAPP)與3，3，4，4聯(lián)苯四甲酸二酐(BPDA)或二苯醚四甲酸二酐(BPDA)為單體，合成聚酰亞胺PI(BPDABAPP)、PI(ODPABAPP)和一系列不同二酐單體比例的PI(BPDABAPPODPA)。通過(guò)傅里葉變換紅外光譜、熱失重分析儀、熱機(jī)械分析儀、臺(tái)階儀、吉利時(shí)240

4、0IV特性分析儀對(duì)功能層結(jié)構(gòu)、熱性能、厚度及器件特性進(jìn)行測(cè)試與分析。研究了頂電極（TE）材料、薄膜厚度及不同二酐含量對(duì)器件的存儲(chǔ)性能影響。主要研究?jī)?nèi)容及結(jié)果如下：（1）研究了不同頂電極(TE)材料對(duì)器件性能的影響。發(fā)現(xiàn)兩種器件ITOPI(BPDABAPP)TE和ITOPI(ODPABAPP)TE均是典型的雙極性曲線。器件ITOPI(BPDABAPP)Al的性能較好，有較高的開(kāi)關(guān)比（105～106）；有較低的開(kāi)啟、關(guān)閉閾值電壓；120次循

5、環(huán)下，存儲(chǔ)性良好；正向偏壓下，遵循歐姆導(dǎo)電機(jī)制。而器件ITOPI(ODPABAPP)Ag的電流開(kāi)關(guān)比達(dá)到104～106；在250次循環(huán)測(cè)試下，性能無(wú)衰減，具有優(yōu)異的耐疲勞特性；正向偏壓下，低阻態(tài)遵循歐姆導(dǎo)電機(jī)制，高阻態(tài)則由歐姆導(dǎo)電機(jī)制轉(zhuǎn)變?yōu)榭臻g電荷限制電流（SCLC）機(jī)制。（2）研究了有機(jī)功能層厚度對(duì)器件存儲(chǔ)特性的影響。當(dāng)厚度處于200nm～360nm時(shí)，器件ITOPI(BPDABAPP)Al有良好的存儲(chǔ)性；當(dāng)厚度處于180nm～300

6、nm時(shí)，器件ITOPI(ODPABAPP)Al具有較好的存儲(chǔ)特性。隨著厚度的增加，由于薄膜內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷增多，器件由歐姆導(dǎo)電機(jī)制向SCLC機(jī)制轉(zhuǎn)變。（3）研究了不同二酐配比對(duì)器件存儲(chǔ)性能的影響。當(dāng)BPDA的含量為10%時(shí)，器件ITOBPDA(10%)BAPPODPA(90%)Al的耐疲勞性是最好的；有較高的開(kāi)關(guān)電流比（103～104）；較低的開(kāi)啟閾值電壓（1.98V）和關(guān)閉閾值電壓（1.98V）。所有器件在低阻態(tài)下呈現(xiàn)歐姆導(dǎo)電機(jī)制，高阻態(tài)