KCu7S4納米帶的合成及其存儲特性.pdf

1、堿金屬離子摻入Cu-S晶格體系可以形成不同結(jié)構(gòu)的三元硫化物(A-Cu-S)。由于銅離子的含量不同，這些物質(zhì)的銅離子具有不同的配位數(shù)和不同的位置，并因此具備不同的光學(xué)、電學(xué)特性，可能在電子或光電子學(xué)領(lǐng)域具有新的應(yīng)用。KCu7S4是K-Cu-S三元體系中重要的一種，其準一維特性在低維固體輸送現(xiàn)象的研究中有著重要的意義。然而，由于銅缺陷相中的缺陷堆疊，使得很難得到高質(zhì)量的晶體，使得目前只有少量的關(guān)于K-Cu-S準一維微米/納米結(jié)構(gòu)的報道。本研

2、究成功實現(xiàn)了結(jié)晶性良好的KCu7S4納米帶的可控合成，并進行了系統(tǒng)的電學(xué)表征，取得的主要研究成果如下:
　　1.通過濃堿溶液中的液相法，合成了寬度200-600 nm、長達幾百微米的KCu7S4納米帶。分析表明產(chǎn)物為體心四方晶系，物相純凈，結(jié)晶性好。紫外-可見-近紅外吸收光譜分析表明其帶隙約為1.65 eV，同時其近紅外吸收區(qū)域的顯著吸收，表明可能應(yīng)用于近紅外光電探測器領(lǐng)域。
　　2.電學(xué)測試表明KCu7S4納米材料電阻率為

3、～0.5 nΩ·cm，其電阻隨溫度升高而降低，表明其呈半導(dǎo)體特性。構(gòu)筑了基于單根KCu7S4納米帶的底柵場效應(yīng)器件，電學(xué)輸運特性表明其為p型導(dǎo)電，且空穴遷移率高達870 cm2V-1s-1，這可能是由于KCu7S4晶體結(jié)構(gòu)中具有沿c軸的準一維導(dǎo)電通道造成的。
　　3.構(gòu)筑了KCu7S4/Cu肖特基結(jié)，測試表明其具有良好的整流特性，在-0.4 V→0V→0.8 V→-0.4 V的電壓掃描下表現(xiàn)出顯著的回滯現(xiàn)象。進一步的測試表明其具有