版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、紫外納米壓印技術(shù)基于機(jī)械壓印原理,具有避免使用昂貴的光源及投影光學(xué)系統(tǒng),不受光學(xué)光刻的最短曝光波長(zhǎng)的物理限制和工藝簡(jiǎn)便等特點(diǎn),在下一代納米圖形加工技術(shù)中脫穎而出,引起了人們廣泛的關(guān)注。目前,納米壓印技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用到光探測(cè)器、晶帶板、以及柔性電路板、有機(jī)電子裝置、LED封裝、具有以及高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的研究。在歐盟提出的DONDODEM計(jì)劃中,也對(duì)納米壓印光刻技術(shù)給予了支持,該計(jì)劃旨在形成一套納米壓印光刻技術(shù)的工藝規(guī)范和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),以促進(jìn)其早日
2、在工業(yè)界得到廣泛應(yīng)用。在紫外壓印工藝中,壓印成像用的光刻膠是該技術(shù)成功的關(guān)鍵之一,光刻膠的粘性,濕度,紫外光聚合的動(dòng)力學(xué),還有刻蝕的選擇性等都是需要關(guān)注的問(wèn)題,需要不斷開(kāi)發(fā)新的光刻膠體系。本論文結(jié)合目前的紫外納米壓印技術(shù),針對(duì)目前紫外納米壓印膠的一些缺陷,探索和設(shè)計(jì)了不同類(lèi)型的紫外納米壓印膠,并深入研究了其性能與結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系,并將之進(jìn)一步應(yīng)用到納米壓印及其圖形轉(zhuǎn)移、以及軟模板制備中。
一、開(kāi)發(fā)出一種基于硫-烯點(diǎn)擊化學(xué)的新型的
3、有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化的紫外納米壓印膠JTHC-a。合成了基于巰基的POSS-SH,相對(duì)于商業(yè)用的巰基化合物,揮發(fā)性小、且是有機(jī)無(wú)機(jī)雜化的分子級(jí)的功能化材料。將POSS-SH和傳統(tǒng)的甲基丙烯酸酯類(lèi)化合物組合形成硫-烯類(lèi)紫外光刻膠JTHC-a,該體系透明均一,穩(wěn)定性好,有良好的儲(chǔ)存性能。全文系統(tǒng)研究和考察了壓印膠的組份及其聚合物膜的性能,整個(gè)光刻膠體系具有較低的粘度(6.1-24.4 cP),及其適合低壓壓印,同時(shí)POSS的摻入大大提高了光刻膠的
4、抗氧刻蝕性能和熱穩(wěn)定性能。通過(guò)紅外和PhotoDSC的原位跟蹤檢測(cè),該光刻膠的光聚合過(guò)程中有效降低了氧阻聚作用,提高了碳碳雙鍵轉(zhuǎn)化率(93%),同時(shí)降低了光刻膠聚合后的本體收縮率(5.3%)。將優(yōu)化后的壓印膠JTHC-a1用于紫外納米壓印,成功的壓印出從微米到100納米尺寸的結(jié)構(gòu),并將之應(yīng)用到圖形轉(zhuǎn)移中,能得到高分辨率的硅納米圖案。
二、基于硫-烯點(diǎn)擊化學(xué)的作為紫外壓印膠的優(yōu)點(diǎn),進(jìn)一步開(kāi)發(fā)出一種基于硫-烯點(diǎn)擊化學(xué)的含氟的紫外壓
5、印膠JTHC-b,并將之用于制備軟模板。通過(guò)對(duì)含巰基的低倍多聚硅氧烷化合物(POSS-SH)巰基端基嫁接低表面能的氟化官能團(tuán),將硫-烯點(diǎn)擊化學(xué)和POSS氟化物(POSS-F-SH)的優(yōu)勢(shì)結(jié)合起來(lái),開(kāi)發(fā)出一種基于硫-烯點(diǎn)擊化學(xué)的含氟的紫外壓印膠JTHC-b。該光刻膠由POSS-F-SH,雙官能團(tuán)的含氟甲基丙烯酸酯DCFA4作為交聯(lián)劑,和光引發(fā)劑I-907按一定摩爾比混合組成。這種基于硫-烯點(diǎn)擊化學(xué)的光刻膠,具備紫外壓印膠優(yōu)異的品質(zhì),包括低
6、粘度(16-239 cP)、低本體收縮率(4.8-7.5%)、以及極好的抗氧阻聚性能。此外,與傳統(tǒng)的PDMS軟模板相比,JTHC-b軟模板具有低表面張力(14-20.4 mJ·m-2)、高脫模效率、高透光率、高機(jī)械強(qiáng)度(0.31-1.56 GPa)以及較高的熱穩(wěn)定性(Td>300℃),并且進(jìn)一步將此軟模板應(yīng)用于商業(yè)紫外光刻膠的壓印中,得到很好的脫模效果以及大范圍高精細(xì)的微納米圖形(200 nm-3.9μm)。軟模板在高溫及不同壓力下反復(fù)
7、套用10次后,表現(xiàn)出較強(qiáng)的機(jī)械性能,模板沒(méi)有撕裂和結(jié)構(gòu)破損。這種經(jīng)濟(jì)的軟模板制備方法,以及較強(qiáng)的機(jī)械性能和脫模性能使得該軟模板具有在大規(guī)模微納米器件制造中存在著潛在的價(jià)值。
三、首次報(bào)道了一種基于硫-炔點(diǎn)擊化學(xué)的含POSS的雜化紫外壓印膠JTHC-c。這種基于硫-炔化學(xué)的體系比硫-烯體系具有更高的交聯(lián)密度和玻璃化溫度。整個(gè)光刻膠由雙功能化的POSS-SH-OA,雙官能團(tuán)炔烴組成。整個(gè)體系透明均一,穩(wěn)定性好,有良好的儲(chǔ)存性能。P
8、OSS-SH-OA的摻入能有效降低聚合后的本體收縮率(0.8-4.8%),大大提高了光刻膠的抗氧刻蝕性能以及熱穩(wěn)定性。同時(shí),聚丙二醇類(lèi)炔烴(PPGY)的加入能提高疏水性能(水接觸角>90℃),這種基于硫-炔點(diǎn)擊化學(xué)的光刻膠還因?yàn)槠浞磻?yīng)速度快,且具有低粘度(127-198 cP)、便于旋涂涂覆,極其適合低壓壓印。本章系統(tǒng)考察和優(yōu)化了壓印膠的組份,成功的壓印出高精的微納米圖形,并將之應(yīng)用到圖形轉(zhuǎn)移中,能得到高深寬比的硅納米圖案。
9、四、為了進(jìn)一步提高模板的利用效率,我們?cè)O(shè)計(jì)了一種可擦除的紫外壓印膠。首先合成出具有光可逆功能的帶有丙烯酸酯官能團(tuán)的香豆素衍生物AHEMC作為交聯(lián)劑。進(jìn)一步的組合了光可逆紫外納米壓印膠,并對(duì)光可逆紫外壓印膠的優(yōu)化和性能進(jìn)行了表征。通過(guò)UV-vis光譜的跟蹤檢測(cè),可逆膠具有明顯的光可逆性能。并且優(yōu)化后的光可逆壓印膠通過(guò)光二聚和解聚后,可以溶解在氯仿溶劑中,從而達(dá)到了很容易在模板表面清洗的目的。通過(guò)紫外納米壓印,AMP-10G-AHEMC光可
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 納米壓印光刻膠的設(shè)計(jì)、合成及性能.pdf
- 耐高溫紫外正型光刻膠和248nm深紫外光刻膠的研制.pdf
- 光刻膠講義
- 新型光刻膠及玻璃刻蝕應(yīng)用研究.pdf
- 光刻概況及光刻前沿技術(shù)探討——光刻膠的研究.pdf
- 后段干法去除光刻膠工藝研究.pdf
- 光刻膠制備工藝技術(shù)
- 紫外正型光刻膠及248nm產(chǎn)酸劑的研制.pdf
- 干法刻蝕工藝如何應(yīng)對(duì)193納米光刻膠的挑戰(zhàn).pdf
- 用于光刻膠烘干的熱板的研制.pdf
- 光刻膠光柵掩模槽形的控制研究.pdf
- 光刻膠剝離工藝IPA消減方法研究.pdf
- SU-8光刻膠超聲時(shí)效的實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- KrF光刻膠顯影工藝優(yōu)化及缺陷研究.pdf
- 納米壓印光刻技術(shù)原理與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 紫外厚膠深光刻技術(shù)研究.pdf
- 193nm光刻膠酸敏單體的合成研究.pdf
- 光刻膠黏附力對(duì)MEMS工藝影響的研究.pdf
- 化學(xué)增幅光刻膠及其在電子束光刻中的應(yīng)用.pdf
- 脈沖激光曝光SU-8光刻膠的基礎(chǔ)與光刻技術(shù)研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論