基于激光誘導向前轉移技術直寫布線工藝研究.pdf

1、近年來激光直寫布線技術廣泛應用于各種微電子器件制作及其電路板的制作與修復。它具有快速靈活，適應性強，加工精度高，成本低廉，綠色環(huán)保，適用范圍廣等諸多優(yōu)點。本課題研究的激光誘導向前轉移技術就是一種基于膜層轉移的激光直寫技術。實驗中對預置銀膜進行了激光誘導直寫布線研究，其主要內容工作和結果包括以下幾個部分：
　　 第一，采用不同的制膜工藝自制了不同厚度的銀膜。其中利用銀鏡反應制備了厚度為納米級的膜層，利用旋涂燒結銀漿料制備了厚度為微

2、米級的膜層。
　　 第二，在納米級銀膜的激光轉移布線實驗中，研究了不同激光工藝參數(shù)對轉移沉積導線形貌和導電性的影響。結果表明：一次轉移沉積得到的導線的導電性能都很差，當接收距離為40μm，相鄰脈沖之間保持約25％的搭界量時，直寫導線的性能有所改善。通過增加加工轉移次數(shù)可以使激光直寫制備的導線的導電性能大幅提高，并詳細分析了產生這種現(xiàn)象的原因，得出通過增大金屬原膜厚度和增加加工次數(shù)都可以顯著提高導線的導電性能。
　　 第三