2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、高壓絕緣體上硅(SOI)工藝因具有良好的隔離及抗閂鎖(Latch-up)等優(yōu)點(diǎn)，已成為功率集成電路的首選工藝。高壓器件在靜電放電(ESD)應(yīng)力下因強(qiáng)回滯（SnapBack）導(dǎo)致的ESD魯棒性（Robust）低的問(wèn)題，一直是高壓器件ESD保護(hù)技術(shù)的瓶頸。因此，SOI工藝高壓ESD保護(hù)器件的研究和設(shè)計(jì)對(duì)于提高功率集成電路的可靠性具有重要意義。
　　本文基于200VSOI工藝，詳細(xì)研究了絕緣體上硅N型橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(SOI-

2、NLDMOS)和絕緣體上硅橫向絕緣柵雙極型晶體管(SOI-LIGBT)在ESD應(yīng)力下的響應(yīng)機(jī)理，并提出了優(yōu)化方案。首先通過(guò)TLP仿真分析了SOI-NLDMOS和SOI-LIGBT在ESD響應(yīng)的不同階段內(nèi)部的電場(chǎng)、熱、碰撞電離分布，其次研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)SOI-NLDMOS和SOI-LIGBT的ESD魯棒性的影響，并揭示了其內(nèi)在機(jī)理，最后針對(duì)Kirk效應(yīng)導(dǎo)致SOI-NLMOSESD魯棒性低的問(wèn)題，提出了一種高ESD魯棒性的漏極分段SOI-N

3、LDMOS結(jié)構(gòu)，針對(duì)SOI-LIGBT開(kāi)態(tài)閂鎖電壓與ESD魯棒性的折中問(wèn)題，提出了一種引入發(fā)射極深P型阱的SOI-LIGBT結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)能同時(shí)滿足開(kāi)念門鎖電壓和ESD魯棒性的要求。
　　流片測(cè)試結(jié)果表明:漏極分段的SOI-NLDMOS二次擊穿電流提高到4.7A，引入源端深P型阱的SOI-LIGBT二次擊穿電流提高到4.6A，開(kāi)態(tài)門鎖電壓為200V，解決了SOI-LIGBT開(kāi)態(tài)閂鎖電壓和ESD魯棒性的折中問(wèn)題。本文優(yōu)化設(shè)計(jì)的SOI-

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