PDP驅(qū)動(dòng)芯片用100V NLDMOS安全工作區(qū)的提取與驗(yàn)證.pdf

1、由于應(yīng)用領(lǐng)域的要求，功率器件需要有處理大電流、大電壓并在此條件下穩(wěn)定工作的能力。在多種功率器件中，由于與CMOS工藝的兼容性等原因，LDMOS(Lateral double-diffused MOS)器件是應(yīng)用最為廣泛的功率器件之一。但隨著CMOS工藝的發(fā)展，工藝線(xiàn)寬越來(lái)越小，功率器件的尺寸也在不斷縮??；同時(shí)為了滿(mǎn)足應(yīng)用的需要，又要提高功率器件的性能，使得器件的可靠性問(wèn)題越來(lái)越受到人們的關(guān)注。因此，能夠反映器件安全工作條件的安全工作區(qū)(

2、Safe Operating Area，SOA)成為電路性能設(shè)計(jì)和可靠性設(shè)計(jì)的重要參考依據(jù)。
　　本文是為PDP驅(qū)動(dòng)芯片用100V NLDMOS器件找出正確的確定SOA的方法，并根據(jù)該方法繪制出該器件的SOA。主要工作是確定SOA的各個(gè)邊界，尤其是最大功率線(xiàn)和二次擊穿線(xiàn)的確定。本文根據(jù)熱阻與溫度的變化成線(xiàn)性關(guān)系和載流子的遷移率主要受因自熱效應(yīng)而引起的溫度變化因素的影響兩個(gè)理論假設(shè)，給出了一種確定器件熱阻的方法。該方法主要通過(guò)熱阻與

3、溫差的關(guān)系和溫差與漏電流、遷移率下降因子的關(guān)系，將熱阻與漏電流和遷移率下降因子等可測(cè)參數(shù)聯(lián)系起來(lái)，從而通過(guò)測(cè)試、推導(dǎo)與數(shù)據(jù)處理得到器件的熱阻。然后根據(jù)該方法進(jìn)行了測(cè)試和模擬，得到了準(zhǔn)確的SOA，證實(shí)了方法的可行性。
　　100V NLDMOS器件SOA的提取，是對(duì)該器件工作條件和性能的一個(gè)很好的描述，對(duì)其在PDP芯片中的應(yīng)用提供了有力的支持。提取過(guò)程中總結(jié)的測(cè)試和模擬方法，對(duì)于以后提取其它NLDMOS器件的SOA提供了參考，同時(shí)用