聚3-(辛基噻吩)多晶型及其相變行為的研究.pdf

1、本文通過差熱掃描量熱法(DSC)、廣角X-ray衍射(WAXD)和原位傅立葉變換紅外光譜(FTIR)表征手段,研究了立構(gòu)規(guī)整的聚3-(辛基噻吩)(rr-P30T)在不同條件下的成膜情況及其相變行為。
　　研究發(fā)現(xiàn),采用低溫溶劑退火法,通過控制溶劑揮發(fā)速率,在適當(dāng)?shù)耐嘶饻囟认履軌颢@得P30T FormⅠ'晶型。這種新的晶型與經(jīng)常溫快速揮發(fā)處理得到的P3OT FormⅠ晶型相比較,具有更短的主鏈層間距離及更有序的側(cè)鏈結(jié)構(gòu)。而且其室溫紅

2、外譜圖顯示在826cm-1處出現(xiàn)明顯的品型特征峰(FormⅠ晶型的特征峰出現(xiàn)在820cm-1處)。原位變溫紅外光譜的研究表明,對應(yīng)于所制樣品DSC曲線中在87℃附近出現(xiàn)的低溫吸熱峰,存在FormⅠ'晶型向FormⅠ晶型的有序至無序相變。
　　針對不同溶劑對P3OT樣品溶解性的差異,及溶劑自身的沸點及相對溶解度參數(shù)的特點,我們發(fā)現(xiàn)了采用不同方法制備出的P3OT薄膜存在明顯的晶體結(jié)構(gòu)差異。研究發(fā)現(xiàn),采用干膜法,以氯仿作為溶劑,CS2作

3、為蒸汽,對已形成的薄膜進行二次成膜處理,制備出了P3OT的FormⅡ晶型。而同樣以氯仿作為溶劑,但采用氯仿作為蒸汽處理時,則不會出現(xiàn)P3OT的FormⅡ品型,而是與經(jīng)快速揮發(fā)制得的薄膜一樣,為FormⅠ晶型。而且,通過對不同溶劑的比較,發(fā)現(xiàn)CS2是P3OT的良溶劑,對晶型的結(jié)構(gòu)改變很大。
　　與通常所做的從常溫開始的變溫紅外相比,為了研究低溫時,P3OT薄膜晶體結(jié)構(gòu)的變化,我們對采用低溫溶劑退火法制得的P3OT樣品進行了低溫變溫紅