PDP用氧化鎂材料的制備及相關機理研究.pdf

1、MgO具有高熔點、抗濺射、二次電子發(fā)射系數(shù)高等特點，常用于PDP介質(zhì)保護膜。本文主要研究了可應用于PDP的MgO材料，主要包括：(1)采用不同生長方法獲得MgO晶體的前驅(qū)體，經(jīng)煅燒后制備出了不同形貌的MgO微晶，著重研究生長工藝對MgO微晶形貌的影響；(2)采用不同方法制備納米MgO粉體，著重研究制備工藝對MgO陶瓷致密性的影響。
　　 采用CHM法生長Mg(OH)2前驅(qū)體，Mg(NO3)2·6H2O濃度的增大，Mg(OH)2的

2、外形由不規(guī)則外形向六方片狀外形轉(zhuǎn)變；隨生長溫度升高，晶體形貌由無規(guī)則向立方體轉(zhuǎn)變，生長溫度為200℃時得到2μm立方體微晶。
　　 采用水熱法生長Mg(OH)2前驅(qū)體，升高生長溫度和加入表面活性劑，都可以使Mg(OH)2晶體分散均勻地生長。
　　 采用水熱法生長Mg5(OH)2(CO3)4·4H2O/MgCO3前驅(qū)體，改變尿素的用量，獲得到立方體前驅(qū)體，煅燒前驅(qū)體獲得粒徑約5μm立方體MgO微晶；隨著生長溫度的升高，生成

3、的前驅(qū)體由Mg5(OH)2(CO3)4·4H2O向MgCO3轉(zhuǎn)變，晶體外形逐漸呈現(xiàn)出立方體的形貌；過高的生長溫度得到的晶體外形又變成無定形結(jié)構(gòu)。采用MS軟件，計算了MgO晶格改變時對應的能帶和電子態(tài)分布，結(jié)果發(fā)現(xiàn)晶體的帶隙與晶格常數(shù)間存在良好的量子線性關系。結(jié)合以上結(jié)果解釋了CEL材料光致發(fā)光峰藍移的原因。
　　 采用沉淀法合成Mg(OH)2前驅(qū)體，煅燒獲得納米MgO粉體。對比四種鎂鹽合成的MgO粉體，氯化鎂制備的MgO粉體粒徑

4、分布均勻且尺寸較??；采用該粉體燒結(jié)成陶瓷，當升溫速率為20℃/min時，MgO陶瓷相對密度與線收縮率最大。采用均勻沉淀法制備堿式碳酸鎂前驅(qū)體，在750℃煅燒后，經(jīng)1500℃燒結(jié)獲得的MgO陶瓷結(jié)構(gòu)致密。
　　 直接采用高純Mg5(OH)2(CO3)4·4H2O為原料制備MgO陶瓷，在700℃低溫煅燒后獲得的MgO粉體晶粒尺寸較小(17.2nm)，較小的晶粒有利于陶瓷的致密化；較大的成型壓力也有利于陶瓷的致密化；隨著升溫速率的增加