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文檔簡介
1、隨著芯片特征尺寸越來越小,集成度越來越高,對芯片可靠性的研究變得日益重要,而其中電遷移現(xiàn)象是影響互連引線的主要可靠性問題。在0.13μm以上的制程中,主要采用鋁銅合金作為金屬導(dǎo)線的材料。選擇鋁的主要原因是因為它具有較低的電阻率,并具有和硅片制造工藝的兼容性,而且其成本相當(dāng)?shù)土5渥陨砻嬷R層出不窮的電遷移問題,所以研究鋁互連制造工藝,了解電遷移現(xiàn)象并從工藝制程過程中預(yù)防電遷移對提高微電子制造技術(shù)水平有積極意義,并可以獲得工業(yè)應(yīng)用價值。
2、
論文系統(tǒng)地研究了制造工藝對鋁互連電遷移可靠性的影響機(jī)制。詳細(xì)論述了鋁互連制造的工藝流程,結(jié)構(gòu)特性,分析了鋁互連技術(shù)的制造特點,總結(jié)出制造工藝對其重要物理特性的影響。在已知的電遷移理論和經(jīng)驗結(jié)論基礎(chǔ)上,將工藝制造與電遷移關(guān)系定量地聯(lián)系了起來。通過實驗列舉并闡述了工藝參數(shù)變化對鋁互連線電遷移可靠性的影響。
本論文的實驗部分主要從金屬薄膜沉積、刻蝕、清洗等制造工藝入手,分別闡述了各個工藝的制造特點以及工藝參數(shù)對鋁
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