納米氧化鋁模板和稀土熒光材料量子點陣的制備.pdf

1、本論文以陽極氧化鋁模板(AAO,Anodic Aluminium Oxide)為模板,采用準分子脈沖激光濺射(PLD,Pulse Laser Deposition)法來制備稀土熒光材料的量子點陣.本文綜述了當前國際上應用模板納米結構研究的最新進展,概括了陽極氧化鋁模板的產(chǎn)生、發(fā)展歷史及制備機理模型等,提出我們的方案,比較了一步陽極氧化法、兩步陽極氧化法實驗結果并,在此基礎上總結出我們制備陽極氧化鋁(AAO)模板的最佳工藝,獲得了尺寸(Φ

2、40~200nm)可精確控制的AAO模板.并以陽極氧化鋁模板為掩模板用準分子激光濺射(PLD)制備稀土熒光材料量子點陣的開展研究工作,主要取得了以下成績:(1)我們開創(chuàng)性地提出了氧化鋁模板和準分子脈沖激光濺射結合這一思路,并成功地實現(xiàn)了這一方法,以AAO為掩模板,在MgO單晶襯底上成功地生長了稀土熒光材料La<,0.95>Eu<,0.05>BaB<,9>O<,16>的量子點陣.實驗證明此方法是可行的,這為未來合成其他納米結構體系材料開辟

3、了一條新的途徑.在目前的基礎上可以合成發(fā)光陣列體系作為顯示材料.還可以利用納米結構體系的新效應、新性能來制作各種功能器件等.這一方法的實現(xiàn),可以真正做到納米復制(Nano-copy),這是當今國際熱門研究之一.(2)分別采用一步陽極氧化法和兩步陽極氧化法制備納米孔洞尺寸(Φ40~200nm)可控的雙通氧化鋁模板.實驗結果表明,要想制備獲得高度規(guī)則有序的AAO模板,兩步陽極氧化法優(yōu)于一步陽極氧化法.通過摸索制備陽極氧化鋁模板(AAO,An