寬禁帶半導體SiC和ZnO紫外探測器的研究與分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、 本論文先后綜述了寬禁帶半導體SiC和ZnO的性質、材料制備以及器件方面的研究。介紹了我們采用寬禁帶半導體n-4H-SiC和金屬Au研制出的SiC肖特基紫外光電探測器。并對基于Si襯底的Au-ZnO-AuUV增強光電探測器進行了測量分析，器件在200nm到400nm的之間有靈敏的光電響應，在370nm附近時有一個響應的峰值停留，同時保留了Si在400nm以上波長的光譜響應；測試得到的I-V特性符合肖特基接觸的反向特性曲線；電容在OV附

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