濕法化學(xué)刻蝕法制備硅納米線.pdf_第1頁(yè)
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1、由于硅是間接帶隙半導(dǎo)體,T=0K時(shí),帶隙寬度Eg=1.17eV,T=300K時(shí),帶隙寬度Eg=1.14eV,其導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂位于波矢量空間的不同位置,在滿足動(dòng)量守恒的條件下,只有借助聲子作用才能實(shí)現(xiàn)間接帶隙半導(dǎo)體躍遷發(fā)光。但一維硅納米線具有高表面活性和量子限制效應(yīng),可獲得較強(qiáng)的發(fā)光,因而硅納米線的研究極為重要。
　　 本論文利用選擇性刻蝕方法,采用濕法化學(xué)刻蝕法制備硅納米陣列結(jié)構(gòu),討論了生長(zhǎng)時(shí)間、氫氟酸濃度、硝酸銀溶液濃度、反應(yīng)

2、溫度對(duì)硅納米線形貌的影響,以及對(duì)硅納米線Raman光譜的影響。
　　 通過(guò)分析不同條件下制備的硅納米線的SEM圖像,當(dāng)反應(yīng)溫度為50℃,5mol／L氫氟酸,0.02mol／LAgNO3溶液,且氫氟酸與硝酸銀的體積比V(HF):V(AgNO3)=1:4,生長(zhǎng)1h以后制備的硅納米線形貌最好,形成了典型的納米線陣列結(jié)構(gòu),納米線長(zhǎng)度為30微米左右,直徑為15—50nm。樣品的Raman主峰位于519.2cm-1,半高寬為3.1 cm-1

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