2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、ZnO是一種直接寬禁帶半導(dǎo)體光電材料,室溫禁帶寬度為3.37eV,自由激子結(jié)合能高達(dá)60meV,遠(yuǎn)大于GaN的25meV和ZnSe的22mev。ZnO薄膜制備溫度低,價(jià)格低廉,可以用塊體ZnO作為襯底,而且抗射線輻射性好,這些優(yōu)點(diǎn)使得ZnO成為一種極具發(fā)展和應(yīng)用潛力的半導(dǎo)體材料,有望在不久的將來(lái)取代Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料,在短波長(zhǎng)發(fā)光二極管、激光器、探測(cè)器和太陽(yáng)能電池等眾多領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。但是,p型ZnO制備的困難成為目前ZnO發(fā)展和應(yīng)

2、用的瓶頸。本征ZnO由于內(nèi)部的大量施主型缺陷而呈n型導(dǎo)電性,采用Al、Ga,等Ⅲ族元素作為摻雜劑,人們已經(jīng)制備出了性能較好的n型ZnO,但是,由于受主元素在ZnO中較低的固溶度、較深的受主能級(jí)、施主缺陷的自補(bǔ)償?shù)染壒?很難制備出優(yōu)良的p型ZnO。在所有Ⅰ族和Ⅴ族的受主元素中,氮被認(rèn)為是最好的p型摻雜元素,一些研究組以及作者實(shí)驗(yàn)室通過(guò)摻N已經(jīng)得到了p型ZnO,但是N濃度都較低,電阻率偏大,即使制備出了N濃度很高、空穴濃度也很高的p型ZnO

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