超薄硅基AAO模板的制備和刻蝕研究.pdf

1、AAO模板因高度有序的納米孔陣列結(jié)構(gòu)，而在有序納米結(jié)構(gòu)的制備中得到廣泛的應(yīng)用。當(dāng)今，硅基光電子器件正向納米層面推進(jìn)，在硅基上制備可控有序的納米結(jié)構(gòu)變得尤為重要。人們已經(jīng)成功地將AAO模板移植到硅基上，制備出硅基AAO模板，并在此基礎(chǔ)上合成各種納米材料。這些成果對(duì)納米光電器件的制備具有重要意義。
　　 本論文圍繞硅基AAO模板的制備展開(kāi)實(shí)驗(yàn)，側(cè)重于超薄硅基AAO模板的制備和AAO模板的定量刻蝕，主要包括以下內(nèi)容：
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2、1)在硅基Al進(jìn)行一次陽(yáng)極氧化的過(guò)程中，通過(guò)實(shí)時(shí)電流監(jiān)測(cè)，精確控制硅基Al的氧化時(shí)間，成功制備了硅基AAO模板。研究了硅基AAO模板的生長(zhǎng)機(jī)理，得出精確控制氧化時(shí)間對(duì)成功制備硅基AAO模板具有重要意義。同時(shí)，也研究了電解液溫度、硅基Al膜的質(zhì)量等因素對(duì)硅基AAO制備的影響。
　　 (2)利用二次陽(yáng)極氧化法，改善了硅基AAO模板的表面形貌。同時(shí)，利用顏色指示法結(jié)合實(shí)時(shí)電流監(jiān)測(cè)法，探索了不同質(zhì)量的硅基Al對(duì)制備超薄硅基AAO模板的影

3、響。隨后，僅利用一次陽(yáng)極氧化法，制備了150nm超薄硅基AAO模板。并利用二次陽(yáng)極氧化法，重點(diǎn)結(jié)合顏色指示法獲得了厚度為50nm的超薄硅基AAO模板。
　　 (3)通過(guò)NaOH溶液、磷鉻酸和不同濃度的磷酸溶液，對(duì)AAO模板進(jìn)行濕法刻蝕，發(fā)現(xiàn)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3％的H3PO4的刻蝕效果最佳，刻蝕期間模板質(zhì)量的減少與刻蝕時(shí)間呈良好的線(xiàn)性關(guān)系，這適合于AAO模板定量刻蝕。另外，在刻蝕過(guò)程中發(fā)現(xiàn)了大量的Al2O3納米線(xiàn)。這些納米線(xiàn)是由于刻蝕液對(duì)