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文檔簡介
1、隨著智能手機、平板電腦、固態(tài)硬盤等產品市場的擴大,對快速大容量存儲器的需求日益增長。NAND Flash作為一種非易失性存儲器,具有存儲密度高、編程擦除速度快、成本低、壽命高等特點,成為存儲芯片的主流。NAND Flash控制器的研究具有重要的價值,它負責完成NAND Flash存儲器與外部設備之間的數(shù)據(jù)傳輸??刂破髟O計的好壞影響到整個存儲系統(tǒng)的性能。
與一般控制器不同的是,本文設計的NAND Flash控制器,既支持ONFI
2、1.0~2.2的異步與源同步接口,又支持Toggle DDR1.0接口??刂破鲀炔坑袑iT的物理層電路來產生高速DDR接口時序,發(fā)揮出NAND Flash的最大傳輸速度。
結合SoC開發(fā)的需求,所設計的NAND Flash控制器是采用AHB接口,目前最主流的片上系統(tǒng)總線。內置DMA模塊進行數(shù)據(jù)傳輸引擎,主動從外部搬運數(shù)據(jù),無需CPU干擾,進一步加快了數(shù)據(jù)傳輸。
由于NAND Flash存儲過程中出現(xiàn)比特位反轉,控制器內
3、增加了ECC校驗功能,來進行錯誤檢測與糾正。ECC模塊采用IP核,基于BCH算法,能夠實現(xiàn)1K字節(jié)數(shù)據(jù)中糾正32位隨機錯誤。
最后,對NAND Flash控制器進行功能仿真,仿真結果表明所設計的NAND Flash控制器能夠完成對NAND Flash的各種存取操作,接口時序滿足ONFI與Toggle的標準要求。然后采用SMIC0.13標準工藝庫進行邏輯綜合、布局布線,在Synopsys PrimeTime下進行靜態(tài)時序分析與優(yōu)
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