利用測(cè)量少子壽命再現(xiàn)低溫多晶硅背板工藝.pdf

1、隨著科技的進(jìn)步和人類對(duì)視覺享受追求的持續(xù)提升，AMOLED顯示技術(shù)以其快速響應(yīng)、高頻率、低能耗、高PPI、超高色彩飽和度及超高對(duì)比度等優(yōu)點(diǎn)將成為下階段顯示技術(shù)行業(yè)中的一顆璀璨的明星。本研究是利用激光波導(dǎo)測(cè)試的方法，研究AMOLED顯示用背板的低溫多晶硅載流子少子壽命同TFT特性、多晶硅晶粒大小、準(zhǔn)分子激光結(jié)晶工藝條件和AMOLED顯示器件之間的關(guān)系，從而開辟一條成本低、環(huán)境友好的快速反饋生產(chǎn)問題的新技術(shù)路線。
　　(1)利用統(tǒng)計(jì)學(xué)

2、計(jì)算方法對(duì)低溫多晶硅載流子少子壽命測(cè)量體系進(jìn)行計(jì)算分析。從理論上闡述低溫多晶硅少子壽命測(cè)試的可行性和對(duì)比其他表征方法時(shí)所存在的問題及其解決方法。
　　(2)根據(jù)理論計(jì)算分析結(jié)果，制定了相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)方案。采用準(zhǔn)分子激光結(jié)晶的方法在不同工藝條件下生長(zhǎng)低溫多晶硅薄膜，對(duì)薄膜的子少子壽命、薄膜內(nèi)多晶硅晶粒、薄膜制作的TFT半導(dǎo)體器件的載流子遷移率、閾值電壓、亞閾值擺幅等進(jìn)行規(guī)律性研究。研究了不同工藝條件下少子壽命對(duì)各半導(dǎo)體參數(shù)的影響。通過原

3、子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、半導(dǎo)體測(cè)試儀等分析方法對(duì)樣品的物相、微觀形貌、晶粒大小和分布進(jìn)行表征。
　　(3)研究結(jié)果表明:通過對(duì)低溫多晶硅少子壽命的研究，其可以有效表征低溫多晶硅TFT特性和AMOLED顯示器件的均一性，進(jìn)而指導(dǎo)準(zhǔn)分子激光結(jié)晶工藝的效果和控制范圍。同時(shí)探討了不同工藝條件下晶粒大小、AFM結(jié)果的影響，總結(jié)出了激光能量在460-500mJ/cm2附近時(shí)結(jié)晶化的優(yōu)化工藝條件，此時(shí)的微波反射信號(hào)穩(wěn)定在