納米薄膜比熱容的分子動(dòng)力學(xué)模擬和測(cè)試研究.pdf_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文采用當(dāng)前最流行的分子動(dòng)力學(xué)計(jì)算機(jī)模擬算法來研究微機(jī)電系統(tǒng)中常用的薄膜的比熱容,并對(duì)其中主要的薄膜進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測(cè)試,文中對(duì)影響計(jì)算和測(cè)試精度及其對(duì)應(yīng)關(guān)系的因素進(jìn)行了討論.本文根據(jù)實(shí)驗(yàn)值建立了薄膜的物理模型,研究選取了可靠的勢(shì)能函數(shù)描述分子間的相互作用,進(jìn)而利用分子動(dòng)力學(xué)方法,計(jì)算了正則系綜中厚度為1~5nm范圍內(nèi)的Al、Cu、Si、SiO<,2>薄膜在100~600K溫度范圍內(nèi)的熱容值.結(jié)果發(fā)現(xiàn),這些薄膜的比熱容相對(duì)于其體材料有不同程度

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