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文檔簡介
1、ZnO是一種多用途的材料.傳統(tǒng)上,ZnO薄膜被廣泛應(yīng)用于聲表面波器件,體聲波器件、氣敏傳感器、壓敏電阻、透明導(dǎo)電電極等.近年來,ZnO作為寬帶半導(dǎo)體材料的研究越來越受到們的重視.ZnO薄膜的生長溫度一般低于700℃,比GaN(生長溫度1050℃)要低得多;ZnO薄膜在室溫下光致發(fā)光和受激輻射有較低的閾值功率和很高的能量轉(zhuǎn)換效率;ZnO有較高的激子復(fù)合能(60meV),激子在室溫下仍然不會分解,理論上有可能實現(xiàn)室溫下較強(qiáng)的紫外受激發(fā)射,制
2、備出較好性能的探測器、LED和LD等光電子器件.該文較全面了闡述了ZnO薄膜的各種生長技術(shù)及其原理,并概括了薄膜研究的最新進(jìn)展.用直流反應(yīng)磁控濺射的方法生長了高度C軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜,用X射線衍射(XRD)、透射電鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)、擴(kuò)展電阻儀(SRP)、吸收光譜、Hall測試儀等方法對ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了表征.系統(tǒng)地概括了各生長條件如襯底溫度、濺射功率、濺射氣氛和濺射壓強(qiáng)等參數(shù)對ZnO薄膜的影響.該文還研
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