LED用砷化鎵拋光片表面狀態(tài)研究.pdf

1、砷化鎵(GaAs)材料是目前生產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣泛，因而也是最重要的化合物半導體材料，是僅次于硅的最重要的半導體材料。由于其優(yōu)越的性能和能帶結(jié)構(gòu)，使砷化鎵材料在微波器件和發(fā)光器件等方面具有很大發(fā)展?jié)摿ΑＤ壳吧榛壊牧系南冗M生產(chǎn)技術(shù)仍掌握在日本、德國以及美國的國際大公司手中，與國外公司相比國內(nèi)企業(yè)在砷化鎵材料生產(chǎn)技術(shù)方面還有較大差距。發(fā)光二極管(LED)是砷化鎵材料的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一，在國際半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展方興未艾之際，研究LED用砷化

2、鎵材料生產(chǎn)的相關(guān)技術(shù)無疑具有重要意義。
　　 本論文詳細介紹了砷化鎵材料的物理化學性質(zhì)及其制造方法，在此基礎(chǔ)上專門探討了針對LED應(yīng)用的砷化鎵拋光片的制備方法以及相關(guān)的技術(shù)問題，采用金相顯微鏡、X光電子能譜、二次離子質(zhì)譜以及PL譜等多種測試手段對砷化鎵拋光片加工各個階段的質(zhì)量情況進行分析，從而為改進加工工藝、提高產(chǎn)品質(zhì)量提供了重要的參考。
　　 通過改進線切割技術(shù)改善了砷化鎵拋光片的翹曲度，通過拋光和清洗技術(shù)的改進提高了