磁控濺射法制備ZnO薄膜及特性研究.pdf

1、ZnO是一種新型的Ⅱ-Ⅵ族直接帶隙化合物半導(dǎo)體，禁帶寬度為3.36eV，激子束縛能為60meV，具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。ZnO薄膜具有廣泛的應(yīng)用，如ZnO薄膜可以制成聲表面波諧振器、壓電器件、壓敏器件、透明電極、氣敏傳感器、導(dǎo)電膜等。 ZnO薄膜制備的主要方法有：磁控濺射、真空蒸發(fā)、離子鍍、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、噴霧熱分解、溶膠一凝膠法、薄膜氧化法等。根據(jù)需要制備相應(yīng)高質(zhì)量的薄膜是ZnO薄膜應(yīng)用的關(guān)鍵，同時制備成

2、本也是必須考慮的重要因素。通常認(rèn)為理想ZnO薄膜具有高的c軸擇優(yōu)取向。采用磁控濺射在最佳條件下可以制備出均勻、致密、有良好c軸取向性和可見光波段透明性好的薄膜，因此，該方法成為在ZnO薄膜研究中最廣泛使用的方法。 本文采用直流磁控濺射法制備了ZnO薄膜并對其性質(zhì)進行了研究。研究內(nèi)容主要包括有：ZnO薄膜的光學(xué)特性；退火處理對ZnO薄膜結(jié)構(gòu)特性和表面形貌的影響；并探討了ZnO的發(fā)光機理。薄膜的結(jié)構(gòu)特性用X射線衍射儀進行了分析，表面