原子層淀積高介電常數(shù)柵介質HfO-,2-反應機理的密度泛函理論研究.pdf

1、復旦大學博士后學位論文原子層淀積高介電常數(shù)柵介質HfO反應機理的密度泛函理論研究姓名：任杰申請學位級別：博士后專業(yè)：微電子學與固體電子學指導教師：張衛(wèi)20060601Ge(100)21表面距離的增加，導致表面的差異對H20的吸附沒有明顯的影響。另外，我們也考察了ALD過程的反應溫度對氧化物薄膜生長的影響，結果發(fā)現(xiàn)，隨著溫度的增加，將導致化學吸附態(tài)的不穩(wěn)定，直接導致吸附化合物的解吸附。對于HfCI。在A1203表面的反應，因為活化能明顯高

2、于反應物的總能量，所以溫度增加容易使HfCI。吸附化合物向反應物方向解吸附，不利于反應向產物方向進行；而對于AI(CH3)3在Hf02表面的反應，正好相反，增加反應溫度有利于反應向產物方向進行。最后值得一提的是，本報告對于HfCl4在A1203、AI(CH3)3在Hf02，HfCl4和H20在單羥基化Si(100)21表面反應，都使用比較小的簇模型進行了內稟反應坐標(IRC)研究，進一步確認了計算得到的過渡態(tài)是正確連接反應物與產物的反應