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1、東南大學(xué)碩士學(xué)位論文0.5μm100VLDMOS高壓器件的研制姓名:許堅申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):軟件工程(IC)指導(dǎo)教師:陸生禮謝正中20080323AbstractAbstractTherapiddevelopmentofIntegrateCircuittheappliedfieldofPOWERICexpandscontinuallyHVIChasbeenapplytoswitchpowerelectricalengineering
2、industrialcontrol,automobileelectrical,dailylightinghomewiringandSOonThePowerMOSFEThavebeenusedinmanyareasasitsrapidswitchandsteadysafetyworkareasItstypicaldeputyisLDMOS(LateralDoublediffusedMOSFET)BulksiliconLDMOSdevice
3、hasbeenwidelyusedtoHVorHVcompatiblewithLVPowerIntegrateCircuitasitsgooddrivecurrenthighworkvoltage,easyprocessandlowcostInthispapera100VbulksiliconLDMOSdevice,whichc鋤becompatiblewithCMOSprocess,isdiscussedindetailbyusing
4、semiconductorsimulationsoftwareTsuprem4andMediciSomestructuralparametersuchasdriftregionchannel,fieldplate,RESURFelectricfieldhavebeendiscussedinthispaperThenthebestdeviceparametercanbeattainedFinallythe05I_tm100Vcompati
5、blewithCDMOSprocesshasbeenresearchedindepthlyThenewprocesswhichapplytotheLDMOSdevicehasbeendesignedandthenachievedlOOVLDMOSTestkeylayoutThroughthetestthedatacallprovethedeviceachieveanticipativetargetitcanbeobservedfromt
6、hetestthatbothoftheoffstateandonstatebreakdownvoltageofthegivenNLDMOSdeviceexceed100VThethresholdvoltage(㈨,on—statecurrent(IJc鋤reach15v45xl0“SA/pmrespectivelyThepresentedLDMOShaveagoodfuturetobeappliedinthehighvoltagePOW
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