0.5μm18v高壓cdmos工藝開發(fā)與優(yōu)化_第1頁
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文檔簡介

1、東南大學碩士學位論文0.5μm 18V高壓CDMOS工藝開發(fā)與優(yōu)化姓名：楊萬青申請學位級別：碩士專業(yè)：軟件工程指導教師：李冰;蘇巍20081230東南大學工程碩十學位論文最后還對實際硅片上的高壓器件進行了圓片級熱載流子可靠性評估，高壓器件通過國際電子元件工業(yè)聯(lián)合會( 厄D E C ) 標準。研究結果表明該工藝的成功開發(fā)，可為國內功率器件的應用市場提供一個低成本的代工工藝技術，為發(fā)展國內半導體事業(yè)提供一種具有自主知識產權的生產技術能力。關

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