外文文獻翻譯譯文---金屬氧化物半導體傳感器用于空氣中活性氣體雜質測定

1、<p><b>　　中文7420字</b></p><p>　　ISSN 1070-3632。 俄羅斯普通化學雜志，2008年，第12號,第78卷，第2545-2555頁。宿星出版社出版有限公司,2008年。原始俄羅斯文本，L.A. Obvintseva于2008年發(fā)表在俄羅斯化學雜志，第二號，第52卷，第113頁-121頁。</p><p>　　金屬氧化物

2、半導體傳感器用于空氣中活性氣體雜質測定</p><p>　　L. A. Obvintseva</p><p>　　摘要:本文對測量微量O2,NOx，CL2，ClO2,和HCl金屬氧化物半導體傳感器的特點進行了討論。對半導體傳感器的具體功能和這些微量雜質的檢測進行了測定。對由傳感器產生的信號大小在WO3-，ZnO-，和In2O3傳感層進行檢測，涉及到檢測O3，NOx，Cl2，ClO2和HCl

3、的濃度。通過半導體傳感器檢測目標雜質敏感性的反應使其適合衡量衛(wèi)生區(qū)和檢測大氣中臭氧水平的最高允許濃度。對用半導體氣體傳感器的氣體分析儀在開放的環(huán)境中測定氣體的雜質的實例加以說明。</p><p>　　簡介：在20世紀40年代的研究工作集中于半導體電物理特性影響氣體吸附。從那時起半導體工程取得了重大進展但也提出來反問題，即從檢測半導體的電物理特性的變化檢測氣體雜質。然而，相對于半導體1器件被立即納入科學和技術各個領

4、域半導體傳感器，它經歷了一個漫長的過程，即從實驗室模型到大規(guī)模生產。這一領域的進步很大程度上歸功于由I.A. Myasnikov領導的卡爾波夫物理研究所（NIFKHI）所進行的研究活動。這些研究主要是集中在發(fā)生在半導體金屬氧化物表面發(fā)生的基本物理化學反應和高靈敏度傳感器的物理應用（這些研究的大部分調查結果匯總見[1]）。為此，在實驗室中一些經過獨特設計的獨一無二儀器被使用。在為測定空氣中氣體雜質而進行的半導體傳感器設計及研究活動（主要是

5、國外）有了顯著發(fā)展的同時，適合進行大規(guī)模生產的商業(yè)技術也有了很大進步[2-7]。這些成果使得多種感應器的商業(yè)化生產達到了極限。主要的金屬氧化物半導體感應器制造商是英國的City Technology公司和日本的Figaro Inc公司。</p><p>　　它們的主要缺點是半導體傳感器的選擇性差，但它們的所具有的優(yōu)點，即靈敏度高，靈捷性，體積小和大規(guī)模生產成本低，仍然使它們在氣體分析的應用中具有很強的競爭力。至于

6、半導體傳感器的選擇性，很多研究都在努力提高半導體氣體的選擇性，這個問題在許多應用中得到解決[4, 8]。</p><p>　　半導體傳感器提供了太多的保證，特別是在污染監(jiān)測點，通過長期的檢測，反映在大氣中的微量雜質（在認為排放量的情況下），以控制工業(yè)區(qū)和住宅區(qū)的空氣質量。最近，移動空氣質量監(jiān)測站的申請數(shù)量在不斷增加，這需要廉價的便攜式氣體分析儀設備。在這里，分析設計測量空氣中微量O3，NOx，Cl2，ClO2，和

7、HCl的半導體傳感器是非常必要的。其在大氣中含量的增加，由于汽車尾氣排放（NOx）和熱電聯(lián)產電站的（NOx，HCl），化學工業(yè)，微電子，有色冶金（C12，НСl），漂白設施，廢水和污水處理廠（O3，Cl2，ClO2），以及在煙霧（O3，NOx，NOx）每日循環(huán)光催化反應。</p><p>　　Fig.1傳感器的設計結構：（a）測量電極和感應層（頂視圖）和（b）加熱器（底視圖）。</p><p&

8、gt;　　半導器傳感器的基本操作規(guī)則</p><p>　　半導體化學傳感器的操作是通過分析受檢測半導體的樣品層的電生理氣體介質組成的變化引起的特點。在這里，我們將討論半導體金屬氧化物電阻傳感器。半導體傳感器的電阻的特征，這取決于氣體的雜質濃度，是由金屬氧化物半導體多晶薄膜為代表的感測層的導電性決定的。電阻性傳感器的輸出信號分析傳感層電阻或者模擬電壓信號。該傳感器的傳感層電阻的增加或減少，取決于雜質的類型（電子供體

9、或受體）和半導體導電類型（N或P）。當接受物種（О2）是吸附在n型半導體的表面（氧化鋅），該傳感層電阻增加（受體信號），當發(fā)散物（氫氣）的吸附，電阻減少（供體信號）; p型半導體（氧化鎳）表現(xiàn)出反向的依賴。</p><p>　　半導體傳感器是一個小絕緣基板（≤3× 3平方毫米）容納測量電極和加熱器。后者是必要的，因為在氣體對半導體表面化學吸附所涉及的過程中對溫度是有要求的。測量電極覆蓋在感測層上。傳感器

10、存在著不同的設計方案：傳感層和加熱器可以位于兩側的基板相同或不同的地方，（見，例，圖1。）[9]。</p><p>　　白金或金為加熱器和測量電極的首選材料;對于非侵略性的氣體，也可以用其他金屬，例如鎳鉻合金[7]。</p><p>　　該傳感器的特點是由化學成分和感測層材料的晶體結構，以及由所有的傳感器組件的屬性，包括基體材料，材料的加熱器的幾何形狀和測量電極，以及傳感器的設計特點所決定

11、的。</p><p>　　氣體中的雜質導致半導體傳感器的電阻感應層產生相互關聯(lián)的設置。這些措施包括電子化處理，表面和體吸附物種的擴散，并收取樣本之間的多晶顆粒載體轉移。因此，半導體氣體傳感器響應的闡述是通過理論相互關聯(lián)的分子過程及半導體表面的電子進程。大多數(shù)情況下，化學吸附的電子理論是用于此目的[10-12]。模型描述了在空氣中處理傳感器信號考慮到傳感器表面上的吸附氧的存在[2，12]。用滲透理論和表面陷阱和傳導

12、障礙模型計算微晶顆粒間的電荷轉移。傳感層中的擴散用多相催化方法闡述。吸附相的擴散和微晶間的電荷轉移用特定晶體結構和傳感層形態(tài)學來闡述。</p><p>　　盡管進行了廣泛的研究工作，傳感器的設計所要求的特點似乎不可能在目前得到完全實現(xiàn)。到目前為止，該傳感器的特性和制備條件互連唯一特殊方面都得到了闡明[12，15，16]。傳感器的設計意味著在特定條件特定參數(shù)下對傳感器層的參數(shù)和準備的仿真。</p>&

13、lt;p>　　圖2.空氣中可變臭氧濃度產生的半導體傳感器信號。傳感器：（一）三氧化鎢，250℃（工作溫度）[15];（二）三氧化鎢，530℃[9]，（三）銦：氧化鐵（3％），240℃[18]。</p><p>　　半導體金屬氧化物傳感器對大氣中O3，NOx，Cl2，ClO2，和HCl微量元素的檢測</p><p>　　在致力于半導體傳感器的出版物（尤其是最近期的）中，大部分是關于臭

14、氧傳感器的（見，例如，[2-4，12，15-20]）;一些二氧化氮的，[20?22];少部分是一氧化氮[21- 22]，氯[8，23-26];，只有很少的的出版物是關于二氧化氯[8，24，25，27]和氯化氫[28，29]。應該指出氮氧化合物傳感器的研究都是在相當高的NOx濃度中進行的（約一百萬分之一）,目的是為了分析汽車尾氣。</p><p>　　當然，對臭氧傳感器的研究原因主要是源自于其的高需求。與此同時，重

15、要的是與臭氧接觸后半導體傳感器產生較大和完全可逆的信號，可以可靠地計量精度高的信號。同時，簡單化商業(yè)生產優(yōu)質的臭氧傳感器可以使一些實驗被很容易的進行。</p><p>　　用于檢測臭氧，氮氧化物，氯氣，次氯酸和鹽酸這些微量物質的半導體傳感器的材料由以下氧化物為主：In2O3 [4–6, 8, 18–20, 24–29], WO3 [2, 3, 9, 12, 15–17, 21, 23], ZnO [18, 19,

16、 24, 28, 29], SnO2 [4, 22]，都摻雜或者提純。</p><p>　　與N型導電性金屬氧化物傳感器對O3，Cl2，ClO2，NO2和NO微量雜質的受體信號通常產生曝光不足，在氣體中出現(xiàn)這些雜質使傳感器的電阻增加?？梢杂稍诓煌瑵舛瘸粞踔蠾O3-和In2O3-基傳感器的動力曲線的例子證實 [9，15，18]。所有研究的傳感器產生的信號完全可逆，雖然弱于在O3中產生的信號[20–27] ，實驗證明

17、NO2，NO，ClO2和Cl2產生的信號性質相似。</p><p>　　Obvintseva通過研究傳感器（氧化銦-或氧化鋅為基礎的）HCl暴露產生的特點信號表面，空氣濕度，工作溫度的不同能使傳感器產生不同的信號，具體而言，傳感器電阻可以減少或者增加。推斷這種現(xiàn)象在發(fā)出和接收到的信號與傳感器吸附的氫氧有關，隨著二氧化氯對由于氯氫與氧傳感器的表面氧化的結果出現(xiàn)。為了闡明這種氧化的合適條件，我們計算了下，在HCl轉換

18、過程中氧化的НСl在不同的溫度和濕的度大氣中的氧氣反應的熱力學平衡條件。這些計算表面在干燥的室溫和低溫下，氯形成占主導的地位，這是傳感器電阻增加的主要原因，所有要求增加空氣濕度和工作溫度減少傳感器中HCl轉化為Cl2[29]。因此，HCl半導體傳感器在空氣中檢測，需要同時檢測空氣濕度。</p><p>　　值得注意的是，ClO2傳感器響應的一個特定的方式：加熱中等二氧化氯含量導致傳感器信號衰減或者完全消失，紫外線

19、照射下呈現(xiàn)出特征信號的非單調變化。原因是ClO2容易在加熱或者紫外線照射下分解。此前Obvintseva等討論了這些方面對于提高ClO2傳感器檢測Cl2和ClO2的靈敏度和選擇性的潛力。</p><p>　　最佳的工作溫度是指既能可以規(guī)模實現(xiàn)并使傳感器靈敏工作的溫度。例如，在氧化銦情況：Fe2O3的傳感層，在240，350和300℃時達到最大靈敏度檢測О3，Cl2和Cl2O，分別為[18，25]。在HCl檢測中，

20、對受體信號觀察到的最大靈敏度為≤200℃,發(fā)出的信號在CA.400℃。然而，因為在較低溫度下緩慢的產生信號，對受體信號的НСl檢測工作溫度在350-400℃。</p><p>　　這種情況隨著時間的轉移（響應速度）在傳感器檢測氣體的分解(О3, СlО2)的 乃至于惰性材料表面的理解不足。在這種情況下，困難在于創(chuàng)造一個集中的過程“一步“，使其傳遞到傳感器。與此同時，H2，CH4和CO欠反應的問題就得能有條不紊的解

21、決，這個時間常數(shù)估計為一或幾秒鐘[30]。實驗測量吸附層中發(fā)生反應過程的時間常數(shù)，氣體分子擴散到整個傳感層，并在傳感器附近更換氣體介質的速率。為了提高傳感器的靈敏度，最后兩個提到的因素的作用必須越小越好。在環(huán)境檢測和控制氣體排放過程中測定雜質氣體的濃度通常在10秒后或者幾分鐘后才能出結果。在數(shù)十時間常數(shù)或者幾秒或者十幾分子內能檢測出，這種結果是可以接受的。在測量空氣中的雜質氣體濃度的動態(tài)模式下，在不到1秒的間隔內，傳感器不應超過一或幾秒

22、鐘的時間常數(shù)。</p><p>　　由半導體傳感器產生的信號通常是目標含雜質的非線性變化，對應的函數(shù)是多項式或冪函數(shù)</p><p>　　其中R是從傳感器在目標雜質存在的穩(wěn)態(tài)信號; R0是在沒有雜質的傳感器信號；c是在空氣中ppm的氣體雜質含量K(ppm)–x,的和х（無量綱參數(shù)），常數(shù)取決于對氣體的性質和傳感器的傳感層。</p><p>　　圖3顯示了半導體傳感器

23、信號對臭氧濃度不同反應，NO2，Cl2，HCl和ClO22，由式（1）處理，來自不同的報告[圖2的數(shù)據顯示臭氧的熱帶氣旋的依賴關系；式（1）中的參數(shù)х和K列于表1]。</p><p>　　圖3對一些測試氣體雜質濃度的各種傳感器靈敏度（信號）進行比較得出一些依賴關系，以及用于測量低濃度O3，NO2，Cl2，ClO2和HCl的傳感器，這些傳感器測量結果容易分析。</p><p>　　表2列出所

24、有在信號/噪聲的比等于2的氣體中雜質的最小濃度，以及在СminR/R0信號比例，在工作區(qū)氣體雜質允許的高大濃度（MPCw.z.），和日平均濃度空氣（MPCd.a.）（多個傳感器采樣。）[31-33]</p><p>　　金屬氧化物半導體傳感器測定</p><p>　　圖3，半導體傳感器穩(wěn)態(tài)信號的產生與濃度的關系（一）臭氧，（二）二氧化氮，以及（c）二氧化氯，氯氣和鹽酸。傳感器（一）：（1）

25、三氧化鎢，250℃（工作溫度）[15]（2）氧化銦：鐵（3％），420℃[5，6]，（3）氧化銦，氧化鐵（3％），240℃[18]（4）三氧化鎢，530℃[9];（二）：（1）氧化銦，84℃[22]（2）三氧化鎢，200℃[21];（3）氧化銦，250℃[20]，（4）氧化鉬：氧化銦，250℃[20]，（5）二氧化錫，120℃[22];及（c）：（1，2）氧化銦：氧化鐵（3％），（3）氧化銦：鐵;及（4）氧化鋅，工作溫度，℃：（1）25

26、0，（2）350，（3）420，（4）400;目標的實質內容：（1）二氧化氯[25]，（2）氯氣[25]，（3）氯氣，（4）鹽酸[28]。 （R/R0）相關分析信號。</p><p>　　我們的數(shù)據表明。對于同樣的化學成分和氣體制作的傳感器，不同的作者給出的表達式中的參數(shù)x和k的值相差很大。其原因是，傳感器感應層參數(shù)其制備方法有所不同。在一個寬泛的濃度范圍內，在臭氧環(huán)境下一些不同的化學成分的半導體傳感器顯示出了最

27、高的敏感性。這種臭氧環(huán)境下的高敏感性尤其會在低濃度（≤0.1ppm）中凸顯。在0.1ppm的濃度下，傳感器在臭氧中的敏感性大約超出了NO2，ClO2，Cl2的。當濃度大于等于1 ppm時，傳感器對臭氧、二氧化氮，氧化鋁的敏感性變得可比較了（以In2O3為基礎的傳感器便是個例子）。以In2O3或者ZnO為基礎的傳感器對HCL最不敏感。半導體傳感器可以偵測到MPCw.z.級別的不純凈的O3，NO2，ClO2，Cl2和HCl氣體。</p

28、><p>　　對傳感器檢測已知的雜質含量，進行校準的相關實驗。傳感器氣體雜質測量準確的一個先決條件是傳感器信號的校準穩(wěn)定，也就是說在傳感器運行時參數(shù)х和K不變。這個比例系數(shù)K表明了傳感器實測濃度的靈敏度是統(tǒng)一的。對目標物質的濃度傳感器信號非線性的依賴使這一參數(shù)的的價值不大。在這方面更為可貴的是在參數(shù)C中指數(shù)x，表征校準必須在整個研究的濃度范圍內。如果此參數(shù)在傳感器的開發(fā)周期不變，將其中一個目標雜質濃度為傳感器的標定特

29、征后，后續(xù)控制就足夠了。</p><p>　　表1.傳感器對空氣中臭氧，二氧化氮，二氧化氯，氯氣和鹽酸濃度產生的信號方程。根據圖三計算出。</p><p>　　表2.為半導體傳感器檢測和臭氧，二氧化氮，氯氣，二氧化氯和氯化氫的最低可檢查濃度在臨界濃度的R / R信號</p><p>　　參數(shù)C的指數(shù)X提供了傳感器傳感層與吸附分子之間的相互作用。對于在真空中的傳感器的

30、傳感層,該指數(shù)的最大值是0.5。這一理論值得到出當氧化鋅的電導率在較低壓力下(PO2<1Torr)氧化鋅形成一個Zn+ O2-的表面化合物和形成一個電子化的導帶。最近，這種方法適用于在低氣壓（PCl2<10-2 Torr）下對一系列的TiO2表面氧化物吸附游離氧化鋅和氧化鎳。相同樣本，類似實驗校氧氣的X值，被證明是等同于公布的數(shù)據。在空氣中參數(shù)C指數(shù)x采取不同的值不同的傳感器感應層和不同的目標氣體雜質，包括那些指數(shù)為0.5甚

31、至以上的值。圖3是在計算X值的基礎上（見表1）例證對比目標雜質濃度傳感器的信號圖。對分散的X值，可以解釋為傳感器的傳感層表面存在大氣中的氧氣。</p><p>　　圖4.臭氧在不同傳感層溫度時基于氧化鎢的模擬響應傳感器下氧的解離和非解離吸附（對實驗數(shù)據）[12]）：（○）計算，非解離吸附;（□）計算，解離吸附;和（+）的實驗。</p><p>　　對傳感層表面發(fā)生氧的吸附，考慮到在傳感器對

32、目標空氣的中的雜質的反應機制[2, 12]。例如，Guerin et 等模擬了WO3為基礎的臭氧傳感器的反應，大氣中的氧的吸附為為解離或者非解離取決于傳感層的溫度。仿真和實驗數(shù)據都見圖4。如圖所見，在溫度低于240°C的時候非解離吸附氧，高于解離時吸附氧。值得注意的是，確認在溫度范圍[12]內金屬氧化物半導體對氧的解離吸附和非解離吸附的已知數(shù)據：在高，中，低溫度下觀察吸附和非解離[1, 11, 34]。</p>

33、<p>　　總之，半導體臭氧傳感器比其他檢測儀器有在其他氣體雜質檢測中有更高的靈敏度。對ClO2傳感器信號進行分析時主要表現(xiàn)受測氣體受到外部影響（溫度，紫外輻射）。氯化氫的為電子受體或供體的表現(xiàn)因為傳感器的工作溫度和空氣濕度而定。這些功能可以因為半導體傳感器的需求選擇性氣體雜質的測定。整體而言，半導體傳感器的靈敏度足以檢測工作區(qū)，居住區(qū)和其它部分的O3，NO2，Cl2，ClO2和HCl的臨界溫度。半導體傳感器的氣體分析儀是否適

34、合空氣質量監(jiān)測取決于其選擇性。要回答這個問題這是需要研究的交叉敏感性問題。在這里討論的氣體雜質，需要對O3和NO2進行測量[4, 20]。高靈敏度的O3傳感器與NO2傳感器在不同溫度下傳感器的靈敏度最大允許的條件下選擇可接受的條件下檢測臭氧濃度比二氧化氮濃度將產生的影響低[4]。</p><p>　　截至目前，半導體臭氧傳感器可對于現(xiàn)有的雜質檢測討論。除了他們的特點，沿此方向目前的研究活動的重點是有方向的，如零

35、線控制[37]，標定規(guī)律[17]等的測量，由作為測量儀器的氣敏傳感器用于測量元素。對于半導體氣體分析儀，這是與設計儀器有關聯(lián)的[9，7-19，38]。</p><p>　　傳感器氣體分析儀的現(xiàn)場試驗</p><p>　　半導體傳感器的氣體分析儀的戶外應用顯得格外有吸引力。在這一領域的發(fā)展努力是沿著兩條路線進行：設計用于飛行（短期）和長期應用表面大氣監(jiān)測儀器。各種載體上（探頭，火箭，飛機）采

36、用各種載體小型快速傳感器，對中間層和上層大氣氣體組成的檢測被賦予很大的期望。20世紀70年代以來開展的相關研究表明，這種分析的做法是完全可能的?？柌ǚ蛭锢砘瘜W研究所和應用地球化學研究所(A.I. Livshits, E.E. Gutman, I.A. Myasnikov)在研究用半導體傳感器測量地球大氣層的上層氧原子濃度方面發(fā)展迅速，并設計了相應的合作計劃。對氧化鋅傳感器的使用與鋅原子摻雜氧化鋅薄膜制備解決了氫原子氧原子的選擇性問題（

37、受體物種的吸附中心）1979年在伏爾加格勒附近進行了現(xiàn)場試驗[1, 40]。一種MР12氣象火箭配備了原子氧傳感器的分析儀。圖5比較了利用半導體傳感器測量地球大氣層中的原子氧濃度的垂直剖面，與其他方法（質譜法，共振光譜獲取;和銀膜方法記錄薄銀膜電阻的變化，由受體活性物種比如氧原子，臭氧[41]）計算得出的模型比較。可以看出，這些數(shù)據吻合。</p><p>　　高田純次在1989年用一個半導體傳感器測量大氣臭氧濃度

38、同時用光譜儀上同步測量紫外吸收。實驗使用半天時間，并揭示了一種氧化銦為基礎的半導體傳感器的電阻變化和大氣臭氧濃度明顯的相關性。</p><p>　　圖.5.（1）1979年12月27日（近伏爾加格勒）半導體傳感器測量確定的垂直剖面上層大氣中的原子氧濃度，（2，3）質譜，（4，5）共振光譜，（6）銀膜法和（7,8）模型計算[1，40]。</p><p>　　漢斯福德等在英國劍橋大學中心大氣科

39、學學院[9]開發(fā)并測試了用于測量大氣臭氧垂直分布氣體分析儀。當臭氧傳感器送達一個有三氧化鎢感測層半導體儀器,這是目前由市科技提供的。圖6給出了臭氧的半導體傳感器和一個標準的文書（一電化學電池），1999年5月在阿伯里斯特威斯（英國）附近進行了用標準儀器和半導體傳感器放入探頭測量臭氧濃度的試驗。接受這種類型測量的25％的相關性觀察儀器的讀數(shù),被研究小組認為是相當樂觀的[9]。</p><p>　　本研究團隊所開發(fā)的

40、另一個方面是用于地面的臭氧監(jiān)測，也是用三氧化鎢為基礎的傳感器。該儀器與光譜儀上測量紫外線的吸收進行了同步實驗。在英國幾個工業(yè)中心進行了為期30天的一系列的測量。在測量的第一天,通過之前和之后的對臭氧濃度的實地測量進行計算校準,最好的結果,得到該傳感器的初步特征,并在隨后的幾天對數(shù)據進行進一步的校準。對于這種傳感器這種穩(wěn)定的校準特性研究建議每星期一次。</p><p>　　在俄羅斯半導體對地面臭氧測量的適用性是奧布

41、霍夫大氣物理研究所（IFA），俄羅斯科學院和NIFKHI聯(lián)合研究的重點。自2002年2月，在IFA的氣氛觀測站已經建立了幾大系列的地面臭氧測量傳感器與氣體分析儀實驗電路板原型，并在探索。在目前階段，這些研究的目的是制定適當?shù)膬x器和測量技術。NIFKHI在臭氧的基礎上開發(fā)的半導體傳感器是一個新的臭氧濃度測量儀——半導體臭氧計，由IFA和NIFKHI設計。</p><p>　　圖6。三氧化鎢傳感器對于大氣臭氧剖面的記

42、錄[1999年5月14日再阿伯里斯特威斯（英國）附近的一個臭氧探測] [9]：數(shù)據與（實線）電化學氣體分析儀和（虛線）半導體傳感器獲得。</p><p>　　圖7.由 (a) DASIBI 1008-AH和（b）半導體氣體分析儀記錄的地面臭氧濃度的日變化。</p><p>　　Obvintseva等早期設計的測試儀器的實驗電路模型的報道[18,19]。被測試的測量儀器與DASIBI10

43、08 –AH（美國）光學氣體分析儀進行了同步。（Dasibi光學分析儀可以廣泛用于國際網絡站的臭氧儀。）比較不同的測量數(shù)據（圖7）后有以下建議。首先，當臭氧濃度產生變化時半導體臭氧儀產生的信號通過DASIB1008-AH記錄下。其次，半導體傳感器在靈敏度和時間分辨率方面優(yōu)于光學氣體分析儀。例如，圖.7a顯示了臭氧濃度的離散頻譜，??1.5 ppb，以及半導體臭氧儀生成一個此濃度范圍內的連續(xù)變化的信號（見圖.7b項）。</p>

44、<p>　　傳感器分析儀的戶外應用所帶來的困難之一是，他們的特性受氣象的影響，最重要的是，空氣溫度和濕度的影響。Obvintseva等表明，輕微的水分由氧化鋅為基礎的半導體傳感器產生的信號 [28]。這個問題值得更詳細的檢查。整體而言，傳感器氣體分析儀可以很好的用于檢查大氣的氣體成分和空氣質量。</p><p><b>　　小結</b></p><p>

45、　　空氣質量管理的現(xiàn)狀可以主要概括為由半導體化學感應器整合到分析應用中所帶來的光明未來和其現(xiàn)今仍不太可能被應用的事實之間的矛盾。盡管如此，大量的研究動作正在進行，并研究出更多的氣體分析方法，為未來半導體化學傳感器的發(fā)展做出貢獻。</p><p><b>　　參考文獻</b></p><p>　　Sauter, DE., Weimar, U., Noetzel, G.,

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