硅片線痕分析

1、硅片線痕分析硅片線痕分析分類：線痕按表現(xiàn)形式分為雜質(zhì)線痕、劃傷線痕、密布線痕、錯(cuò)位線痕、邊緣線痕等。各種線痕產(chǎn)生的原因如下：1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過(guò)程中無(wú)法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。表現(xiàn)形式：（1）線痕上有可見黑點(diǎn)，即雜質(zhì)點(diǎn)。（2）無(wú)可見雜質(zhì)黑點(diǎn)，但相鄰兩硅片線痕成對(duì)，即一片中凹入，一片凸起，并處同一位置。（3）以上兩種特征都有。（4）一般情況下，雜質(zhì)線痕比其它線痕有較高的線弓。改善方法：（1）改善原材料或鑄

2、錠工藝，改善IPQC檢測(cè)手段。（2）改善切片工藝，采用粗砂、粗線、降低臺(tái)速、提高線速等。其它相關(guān)：硅錠雜質(zhì)除會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)線痕外，還會(huì)導(dǎo)致切片過(guò)程中出現(xiàn)“切不動(dòng)”現(xiàn)象。如未及時(shí)發(fā)現(xiàn)處理，可導(dǎo)致斷線而產(chǎn)生更大的損失。2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結(jié)塊引起。切割過(guò)程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無(wú)法溢出，造成線痕。表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。改善方法：（1）針對(duì)大顆粒SIC（2.5~

3、3D50），加強(qiáng)IQC檢測(cè)；使用部門對(duì)同一批次SIC先進(jìn)行試用，然后再進(jìn)行正常使用。（2）導(dǎo)致砂漿結(jié)塊的原因有：砂漿攪拌時(shí)間不夠；SIC水分含量超標(biāo)，砂漿配制前沒(méi)有進(jìn)行烘烤；PEG水分含量超標(biāo)（重量百分比0.5%）；SIC成分中游離C（0.03%）以及2μm微粉超標(biāo)。其它相關(guān)：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韌性等，各項(xiàng)性能對(duì)于切片都有很大的影響。3、密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問(wèn)題

4、，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。表現(xiàn)形式：（1）硅片整面密集線痕。TTV不良，都是由于各種問(wèn)題導(dǎo)致線網(wǎng)抖動(dòng)而產(chǎn)生的硅片不良，包括設(shè)備精度問(wèn)題、工作臺(tái)問(wèn)題、導(dǎo)輪問(wèn)題、導(dǎo)向條粘膠問(wèn)題等。1、設(shè)備精度：導(dǎo)輪徑向跳動(dòng)40μm，軸向跳動(dòng)20μm。改善方法：校準(zhǔn)設(shè)備。2、工作臺(tái)問(wèn)題：工作臺(tái)的不穩(wěn)定性會(huì)導(dǎo)致大量TTV不良的產(chǎn)生。改善方法：維修工作臺(tái)。3、導(dǎo)輪問(wèn)題：因?qū)л唵?wèn)題而產(chǎn)生的TTV不良，一般出現(xiàn)在新導(dǎo)輪和導(dǎo)輪磨損很大的時(shí)候。改善方法：更換導(dǎo)輪。4

5、、導(dǎo)向條粘膠問(wèn)題：當(dāng)導(dǎo)向條下的膠水涂抹不均勻，出現(xiàn)部分空隙，在空隙位置的硅片，易出現(xiàn)TTV不良問(wèn)題。改善方法：規(guī)范粘膠操作。三、臺(tái)階臺(tái)階的出現(xiàn)，是由切片過(guò)程中的鋼線跳線引起，而導(dǎo)致鋼線跳線的原因，包括設(shè)備、工藝、物料等各方面的問(wèn)題，部分如下：1、砂漿問(wèn)題：砂漿內(nèi)含雜質(zhì)過(guò)多，沒(méi)有經(jīng)過(guò)充分過(guò)濾，造成鋼線跳線。改善方法：規(guī)范砂漿配制、更換，延長(zhǎng)切片的熱機(jī)時(shí)間和次數(shù)。2、硅塊雜質(zhì)問(wèn)題：硅塊的大顆粒雜質(zhì)會(huì)引起跳線而產(chǎn)生臺(tái)階。改善方法：改善原材料或