2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、國立二林工商電子電路科試卷單元:第一章:電子電路元件老師:班級:姓名:座號:一.單選題(每題0分)1、(A)下列有關(guān)電晶體之描述何者錯誤?(A)BJT之構(gòu)造是對稱的,因此射極與集極可對調(diào)使用(B)FET的優(yōu)點(diǎn)之一為其(低頻)輸入阻抗甚高(C)若BJT的基極與射極之接面為順向偏壓,基極與集極之接面亦為順向偏壓,則該BJT工作在飽和區(qū)(D)為使BJT具有線性放大作用,必須偏壓在作用區(qū)(activeregion)2、(C)目前使用中的大型積體

2、電路(LSI),以互補(bǔ)金氧半(CMOS)場效電晶體最佳,其主要是因?yàn)?A)製造容易,價(jià)格低廉(B)對雜訊免除性佳(C)其消耗功率極小(D)其交換速率快3、(C)電晶體的共基極(CB)、共射極(CE)、共集極(CC)三種組態(tài)中,下列何者敘述錯誤?(A)CB的電流增益最低(B)CC的電壓增益最低(C)CC的輸入阻抗最低(D)CE的功率增益最大4、(B)如圖所示,此電路在V1=VDD時(shí),下列敘述何者錯誤?(A)Vo=0V(B)Q1導(dǎo)通(C)Q

3、2導(dǎo)通(D)Q1截止5、(B)CS9014為(A)PNP電晶體(B)NPN電晶體(C)FET(D)SCR6、(C)下列對CMOS的敘述何者為錯誤?(A)CMOS的工作電壓約為3~15V(B)CMOS的扇出數(shù)很高(C)CMOSN閘,部分不用的輸入端最好接到VDD端,以確保電路正常工作(D)CMOS的傳輸延遲時(shí)間比TTL長7、(B)如圖所示,741IC外接VR的目的在於調(diào)整(A)轉(zhuǎn)動率(B)輸入偏移電壓(inputoffsetvoltage

4、)(C)電壓增益(D)輸入阻抗8、(D)理想運(yùn)算放大器之頻寬為(A)0(B)100kHz(C)10MHz(D)∞9、(D)所謂理想二極體,下列敘述何者錯誤?(A)順向時(shí)視為短路,逆向時(shí)視為開路(B)順向時(shí)電阻為零,逆向時(shí)電阻無限大(C)無順向壓降,無逆向電流(D)順向壓降為零,逆向電流無窮大10、(D)下列敘述何者不正確?(A)BJT電晶體為雙極性(bipolar)電晶體(B)MOSFET為單極性(unipolar)電晶體(C)一般BJ

5、T電晶體的輸入阻抗比MOSFET的輸入阻抗小(D)MOSFET為一種電流控制元件3二.問答題(每題0分)1、有一JFET,若夾止電壓VP=?7V,IDSS=9mA,求(1)VGS=?1V及(2)VGS=?2V時(shí)的IDS值。2、試問一個理想的運(yùn)算放大器,需具備那些特性?3、運(yùn)算放大器其內(nèi)部結(jié)構(gòu)包含那幾個部分?4、試述積體電路的分類。5、電晶體工作於順向作用區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)時(shí)各接合面各需什麼偏壓?6、運(yùn)算放大器IC,有那幾種通用的包裝?7

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