微細(xì)加工技術(shù)論文

1、微細(xì)加工技術(shù)1微細(xì)加工技術(shù)微細(xì)加工技術(shù)1.微細(xì)加工技加工技術(shù)現(xiàn)術(shù)現(xiàn)狀1990年微細(xì)加工技術(shù)的生產(chǎn)水平是100μm到08μm。到1994年16MDRAM64MDRAM已生產(chǎn)254MDRAM也將投入生產(chǎn)。16—64MDRAM用03μm~04μm的微細(xì)加工技術(shù)。256MDRAM用025μm的加工技術(shù)。目前實(shí)驗(yàn)室已做出1000MDRAM的產(chǎn)品。也就是說01μm~008m的微細(xì)加工技術(shù)不久也將投入生產(chǎn)。當(dāng)前微細(xì)加工技術(shù)的動(dòng)向是:一方面將生產(chǎn)16—

2、64MDRAM的設(shè)備進(jìn)行改進(jìn)以提高生產(chǎn)率另一方面是開發(fā)新工藝、新設(shè)備。微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵是曝光技術(shù)和干蝕技術(shù)。我們將以這兩方面為重點(diǎn)介紹微細(xì)加工技術(shù)的現(xiàn)狀和發(fā)展動(dòng)態(tài)。116—64MDRAM生產(chǎn)技術(shù)的改進(jìn)當(dāng)前生產(chǎn)16MDRAM的設(shè)備一般都能生產(chǎn)64MDRAM。它們主要用縮小投影曝光裝置典型的有NSR—2005i10cEx10BNSR4425i。其主要參數(shù)如表1所示?？s小投影曝光裝置的特點(diǎn)上述三種裝置都能生產(chǎn)1464MDRAM器件其中NSR

3、4425i能生產(chǎn)256MDRAM器件光刻水平達(dá)到025μm。表1主要參數(shù)這三種設(shè)備校正系統(tǒng)都經(jīng)過改進(jìn)穩(wěn)定性大大提高。同時(shí)對(duì)干涉反射鏡曲線進(jìn)行補(bǔ)正。干涉光路進(jìn)行空調(diào)使精度大大提高。另外對(duì)放大倍率也進(jìn)行補(bǔ)償和修正。使誤差控制在10nm以下。使用準(zhǔn)分子激光器使曝光功率下降曝光成本下降。NSR4425i是一種成本較低而性能優(yōu)良的設(shè)備由于它采用了混合和匹配平臺(tái)能生產(chǎn)16M、64M、256MDRAM器件。場尺寸達(dá)44mm44mm主流場為22mm44

4、mm生產(chǎn)256MDRAM器件月產(chǎn)達(dá)2萬只。1.11.1印刷式曝光機(jī)印刷式曝光機(jī)1.1.11.1.1概要概要它是一種等倍率曝光機(jī)采用混合和匹配平臺(tái)具有“印刷”功能故而又稱它為超技術(shù)步進(jìn)機(jī)。其突出優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)性高而成本低。該類機(jī)中的優(yōu)秀者是224i型。它使用i線作曝光光線大口徑光學(xué)系統(tǒng)超高精度的平臺(tái)曝光光的波長為355~375nm。每小時(shí)能生產(chǎn)200mm片80枚。150mm片105枚主要參數(shù)如表2所示。微細(xì)加工技術(shù)3表4HL—800D系列基本

5、參數(shù)一次成型掃描法是通過轉(zhuǎn)寫掩膜形成的如圖1所示通過轉(zhuǎn)寫掩膜可一次形成較為復(fù)雜的圖形或使掃描線更精度。圖1一次成型和可變成型掃描圖通過使用補(bǔ)償法并運(yùn)用轉(zhuǎn)寫掩膜或可以提高掃描速度或可以提高掃描線的精細(xì)程度但其代價(jià)是失去了無掩膜的優(yōu)點(diǎn)(有轉(zhuǎn)寫膜)。用轉(zhuǎn)寫掩膜該裝置可達(dá)到005μm的直線尺寸精度可達(dá)到015μm甚至有人說這類設(shè)備將來可生產(chǎn)1GDRAM器件。1.31.3干蝕技術(shù)干蝕技術(shù)在微細(xì)加工中尤其是達(dá)到025μm水平的精細(xì)加工中干蝕技術(shù)就顯