la,1.6xnd,0.4sr,xcuo,4薄膜的輸運(yùn)性質(zhì)和磁通動(dòng)力學(xué)研究

1、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文LaNdSrCuO薄膜的輸運(yùn)性質(zhì)和磁通動(dòng)力學(xué)研究姓名：劉勇申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：李曉光20050401中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)} 尊士學(xué)位論文 摘要的順電導(dǎo)( p a r a c o n d u c t i v 時(shí)) 。計(jì)算疋附近的磁阻，則可以算出薄膜的磁電導(dǎo)( m a g n e t o c o n d u c t i v i t y ) 。我們發(fā)現(xiàn)在電荷條紋有序態(tài)下的順電導(dǎo)可以用L a 州e

2、 n c e - D o n i a c h 模型來擬合，對(duì)磁電導(dǎo)的貢獻(xiàn)來自于A s l a m a s o v ．L a r k i n 項(xiàng)，而M a k i - n l o m p s o n 項(xiàng)對(duì)漲落電導(dǎo)的貢獻(xiàn)是可以忽略的，這一結(jié)果支持條紋相中的電荷屬于非J 波配對(duì)。第五章我們測(cè)量了圩上c 和H { Ic 兩種磁場(chǎng)位形下，L a l6 州d o 4 s h c u 0 4 薄膜的電阻展寬曲線。分析了不可逆線的變化規(guī)律，發(fā)現(xiàn)在高場(chǎng)下

3、存在一個(gè)三維的渦旋餅串到二維的渦旋餅的退耦合轉(zhuǎn)變。L a l6 劃d o 4 s k c u 0 4 薄膜的電阻展寬曲線可以用n 師F 模型描述。在Ⅳ上c 時(shí)，磁通線是以塑性運(yùn)動(dòng)的方式越過絕緣層。在日{(diào) Ic 時(shí)，與大多數(shù)高溫超導(dǎo)薄膜一樣，激活能滿足冪指數(shù)規(guī)律。磁通運(yùn)動(dòng)可以用二維超導(dǎo)體的熱脫釘模型描述。第六章我們研究了L a 0 7 5 c a 0 2 5 M n 0 3 薄膜的R a m a n 光譜。發(fā)現(xiàn)J a } 1 1 1 一T