2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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1、Spectre 仿真環(huán)境下的 仿真環(huán)境下的 LDO 前端仿真設(shè)計 前端仿真設(shè)計 趙祁,聯(lián)芯科技 趙祁,聯(lián)芯科技 摘要 摘要 模擬 IC 電路設(shè)計是各項性能指標(biāo)折中的過程,同時需要保證在各種工藝偏差、環(huán)境溫度、電源電壓、負載應(yīng)用環(huán)境下穩(wěn)定可靠工作,這是一項細致精準(zhǔn)的設(shè)計工作,需要設(shè)計者進行大量繁瑣的仿真驗證。Cadence 公司提供的 Spectre仿真工具為設(shè)計者提供了人性化的仿真環(huán)境,通過 sweep/ocean/corner 仿真工

2、具可以將仿真條件設(shè)置成參數(shù)進行交叉仿真, 并支持對圖形和結(jié)果計算幫助設(shè)計者完成電路分析工作。本文以一款電源管理芯片 LDO 的設(shè)計實例,利用 spectre環(huán)境下不同仿真工具,分析各項性能指標(biāo),極大的提高了設(shè)計效率。 1 引言 引言 隨著筆記本電腦、手機、PDA 等移動設(shè)備的普及,便攜式產(chǎn)品中電源管理類產(chǎn)品有著廣闊的市場, 因此電源管理模塊作為模擬電路設(shè)計的一個分支逐漸細化為開關(guān)穩(wěn)壓源、電荷泵和線性穩(wěn)壓源。線性穩(wěn)壓器(LDO)較開關(guān)電源

3、最大的特點是具有極低的輸出電壓噪聲以及較高的電源電壓抑制比(紋波特性),能夠應(yīng)用于對噪聲敏感的 RF 和高性能音頻電路。同時 LDO 憑借壓差低、功耗低、集成度高等優(yōu)點,可為手機各功能組件供電,成為手機終端設(shè)備的低成本解決方案。2 LDO 工作原理 2 LDO 工作原理 LDO 是一個閉環(huán)反饋環(huán)路,通過負反饋控制調(diào)整管的柵壓達到穩(wěn)定輸出電壓的功能。其中調(diào)整管驅(qū)動電流,誤差放大器為反饋提供開環(huán)增益。LDO 作為線性穩(wěn)壓源,需要在負載和電

4、源變化時提供穩(wěn)定輸出電壓,同時還要抑制工藝溫度、封裝寄生等因素對輸出電壓的影響。LDO 性能由 PSRR、負載調(diào)整率、線性調(diào)整率等指標(biāo)確定, 通常提高 LDO 開環(huán)增益與帶寬來提高各項性能。 然而 LDO 與運放的不同之處是 LDO 的負載范圍變化大,導(dǎo)致不同負載條件下的極點分布有很大變化,從而給 LDO 的頻率補償和穩(wěn)定性帶來難度。 頻率相關(guān)反饋因子電路結(jié)構(gòu)如圖 2 所示,Rc 和 Cc 分別為補償電阻和補償電容,Rp 和 Cp 分別

5、為跨導(dǎo)為 gm 的運放輸出電阻和電容。頻率相關(guān)反饋因子電路傳遞函數(shù)的低頻增益為 1,頻率特性表現(xiàn)為一個低頻 LHP 零點ωz,一個中頻極點ωpc1,一個高頻極點ωpc2。通過將ωpc1和ωpc2設(shè)計在 LDO 單位增益帶寬外,頻率相關(guān)反饋因子電路只表現(xiàn)為零點ωz,引入 LDO 反饋通路后補償環(huán)路次極點。 此技術(shù)缺點是 Rc 和 Rp 在百 Kohm 量級, Cc 在 pf 數(shù)量級, Cp 在百 ff 數(shù)量級,所以采用較大的補償電阻電容將

6、使極點ωpc1 和ωpc2 進入帶內(nèi), 這就需要 ESR 零點來補償其中一個極點。 如果設(shè)計兩個頻率相關(guān)反饋因子串聯(lián), 由第二級頻率相關(guān)反饋因子的零點抵消第一級頻率相關(guān)反饋因子的中頻極點, 會使補償消耗更大功耗和面積。 所以這種頻率補償適用的驅(qū)動管尺寸有限, 同時頻率相關(guān)因子技術(shù)增加 LDO 失調(diào),所以不適合高性能大驅(qū)動能力 LDO 應(yīng)用。 gmVDD Vout驅(qū)動管 誤差放大器 R2R1壓控零點補償電路CL RLVfbRp Cp圖3

7、具有壓控零點補償技術(shù)的LDO 具有壓控零點補償 VCCS 技術(shù)的 LDO 原理圖如圖 3 所示,VCCS 電路輸入電壓為 LDO 輸出 Vout, 輸出電壓為反饋電壓 Vfb。 基本工作原理是利用 LDO 輸出電壓Vout 和反饋電容 C 產(chǎn)生一股壓控電流源 SCVout 流入 LDO 反饋電阻,使補償電容C 和反饋電阻 R2 產(chǎn)生一個左半平面零點 Z 用于補償誤差放大器輸出極點,同時LDO 環(huán)路中還增加了一個壓控零點補償電路內(nèi)部極點

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