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文檔簡介
1、基于IP的集成電路設(shè)計已經(jīng)成為主流,在IP交付時,不僅需要確保IP的功能滿足要求,IP接口的時序參數(shù)也要保證。硬核IP需要在芯片上進(jìn)行功能驗(yàn)證和端口時序參數(shù)測量,要求在片上設(shè)計專門的電路進(jìn)行測量。隨著數(shù)字集成電路尺寸的不斷縮小和工作頻率的不斷提高,數(shù)字IP端口的時序參數(shù)越來越小,要對這些參數(shù)進(jìn)行精確地測量,難度也越來越大。
本文以SRAM為待測IP,對其進(jìn)行了功能測試和時序參數(shù)測量。對于功能測試,采用了當(dāng)前流行的基于March
2、 C+算法的存儲器內(nèi)建自測試。對于時序參數(shù)測量,本文設(shè)計了專門的片上時序參數(shù)測量結(jié)構(gòu),核心部分由兩級調(diào)節(jié)數(shù)字時間轉(zhuǎn)換器構(gòu)成,實(shí)現(xiàn)了較大測量范圍和較高測量分辨率,并改進(jìn)其測量模式,有效地縮短了測量時間,保證了測量結(jié)果的可靠性;通過設(shè)計不同的測量方案,實(shí)現(xiàn)用同一種數(shù)字時間轉(zhuǎn)換器測量IP的輸入端口和輸出端口,大大減小了設(shè)計復(fù)雜度;針對 SRAM每個端口設(shè)計不同的測試向量,實(shí)現(xiàn)對 SRAM每個輸入端口的建立時間和保持時間測量,對輸出端口的數(shù)據(jù)讀
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