硫雜杯芳烴LB膜修飾電極的研究及分析應用.pdf

1、和傳統(tǒng)電極相比，化學修飾電極最顯著的特點是用人工設計的方式把一層很薄的膜(通常從單分子膜到幾個微米的厚度)修飾在電極的表面，從而賦予電極新的化學的、電化學的、光學的、電子學的或其它特定的性能?；谏鲜隹紤]，我們利用LB膜技術設計制備了新的化學修飾電極體系。本論文具體包括以下幾個方面的內(nèi)容：1.運用Langmuir膜技術制備了硫雜杯芳烴膜修飾電極，并成功地將Cu2+導入該膜中。利用多種電化學手段研究了該膜修飾電極的電化學性質，求得了電極過

2、程動力學參數(shù)，并根據(jù)Langmuir膜中的分子平均占有面積和膜修飾電極的電活性物質的表面覆蓋量計算出了硫雜杯芳烴和Cu2+的配位數(shù)。通過探索金屬離子和Langmuir膜的作用，為用電化學方法研究模擬生物膜中的電子傳輸，闡明生命過程中的物質、能量和信息的關系提供了可能的途徑。 2.研究了一種新型的電流傳感器——硫雜杯芳烴LB膜化學修飾電極，并用來測定痕量銅離子。線性范圍為2×10-8～5×10-6mol/L，檢測限為2×10-9m

3、ol/L。同時討論了該電極對銅離子的識別機理。通過對自然水樣(河水、湖水、自來水)的分析測定，可認為這是一種快速、靈敏的檢測方法，可用于自然水樣的分析測定。 3.以上述化學修飾電極作為電流傳感器結合差示脈沖伏安技術同時測定痕量鉛離子和鎘離子。討論了底液、底液pH、富集電位、富集時間以及LB膜層數(shù)對測定的影響，探討了其它離子對測定的干擾。線性范圍分別為2×10-7～5×10-5mol/L(Cd2+)和1×10-7～2.5×10-5

4、mol/L(Pb2+)，檢測限分別為2×10-8mol/L(Cd2+)和8×10-9mol/L(Pb2+)。同時還討論了該電極對鉛鎘離子的識別機理。 4.首次以草酸為原料在鹽酸催化下一步合成了2-氨基-1，3，4-噻二唑，產(chǎn)品的純度達到99％(HPLC)以上，并通過IR、13CNMR、高分辯MS等手段對其結構進行了表征。實驗結果表明，該合成路線具有反應條件溫和、收率高、操作簡單、對環(huán)境安全友好等特點。同時合成了Zn2+與5-乙基