乙烯基苯基二氯硅烷單體及其聚硅烷的合成與性能研究.pdf

1、聚硅烷是主鏈大部分由硅原子組成的一類聚合物。由于主鏈上的Si原子半徑較大,且具有3d空軌道,使得主鏈的σ鍵易極化,σ電子可沿聚硅烷主鏈廣泛離域,形成與大π共軛類似的σ共軛體系。從而賦予了聚硅烷獨特的光電性質。
　　 本論文總結了聚硅烷的合成、光學、導電以及熱學性質,在此基礎上設計合成了一種硅烷單體,并與其他幾種硅烷單體共聚合成了多種二元、三元聚硅烷,并探討了聚硅烷結構與性能的關系。
　　 用格氏法合成了乙烯基苯基二氯硅烷

2、單體,對此硅烷的制備方法、合成影響因素進行了比較優(yōu)化,并以此單體和3種含不同官能取代基的氯硅烷通過Wurtz合成法共聚,得到一系列新型聚硅烷。
　　 用FT-IR、1H-NMR譜驗證了所得共聚硅烷的結構。用XRD、TEM等方法對其聚集態(tài)結構進行了表征、分析,結果表明乙烯基苯基共聚硅烷為非晶結構,在溶液中分散后可形成囊泡狀、云團狀、以及樹枝狀的聚集態(tài)結構。
　　 以UV-Vis和FS對這幾種聚硅烷的光學性質進行了表征。通過

3、用一定波長的紫外光對聚硅烷分別進行輻照,記錄了其紫外吸收隨輻照時間的變化情況,分析了聚硅烷結構與其光降解性的關系;并利用熱失重表征了它們的熱分解溫度以及熱穩(wěn)定性。得出這些聚硅烷有很高的熱分解溫度(350℃以上)以及很大的熱殘留率。用高阻計對摻雜前后的聚硅烷導電率進行測試,結果表明摻雜后的聚硅烷電阻率下降3個數量級。
　　 以上表明乙烯基苯基共聚硅烷有不亞于其他聚硅烷的光電性能,并在耐光降解與熱降解方面有突出的表現。